隐形切割事理图1
隐形切割事理图2
光学损伤（改质层）：激光聚焦在材料内部时，材料分子对光子能量接管后使材料构造发生变革，材料由构造紧密的整体改变为结合疏松、易于分断的整体。
SDBG不仅能办理减薄太薄时wafer的翘曲，切割道太窄问题，也能避免wafer太薄而造成的正崩背崩问题，并可制作出侧面无加工痕的高强度的薄型芯片。SDBG工艺是在隐形切割后进行背面研磨的技能，可实现薄型芯片的切割道狭窄化以及抗折强度的提升。经由与分离扩片机（DDS2300）的组合利用，可将薄型芯片积层时作为接合股料所利用的DAF(Die Attach Film)高品质分割。SDBG紧张的核心技能便是隐形切割（DISCO DFL7361）和扩片（DISCO DDS2300）。
一样平常从隐形切割到晶圆减薄的工艺流程如下（隐形切割-->贴膜-->研磨）：
隐形切割至晶圆减薄工艺流程图
贴膜是将装有晶圆的晶舟盒放进贴膜机，贴膜机自动取晶圆在晶圆正面贴上胶膜以保护晶圆在研磨过程中不被划伤。
研磨是将装有已贴好正面膜的晶圆的晶舟盒放进减薄机，减薄机手臂将自动抓取晶圆放置在事情台, 然后进行粗磨和精磨，以达到工艺所哀求的研磨厚度和表面粗糙度。
研磨过程可分为三个阶段：
第一粗磨阶段：利用的磨轮金刚石颗粒度大，磨轮每转的进给量大，采取相对较大的进给速率，紧张考虑提高加工效率。这个阶段占减薄总量的96%旁边。这个过程会引起较大的晶格损伤，边缘崩边。
第二精磨阶段：利用的磨轮金刚石颗粒度很小，磨轮每转的进给量小，进给速率降落，可以肃清前端粗磨产生的损伤、崩边等征象，占总削磨量的4%旁边。
第三抛光阶段：末了数微米采取精磨抛光，以此减小晶圆背面粗糙度，降落芯片破损概率等。
研磨示意图
比拟传统的切割工艺，隐形切割的紧张利害势如下：
Item
Blade saw
Laser grooving on top side
SDBG
Wafer clean
Yes
Yes
No
Chipping
Yes
Yes
No
Heat affected
Yes
Yes
No
UPH
Low
Middle
High
Cost
Low
Middle
High
Yield
Low
Middle
High
