中芯集成-U申请阳极键合技能专利可提高阳极键合工艺后的键合强度_阳极_单位

专利择要显示，本发明供应了一种阳极键合构造、硅压阻式压力传感器及其制备方法，所述制备方法包括：供应SOI衬底；利用顶部硅层，在第二绝缘层上形成压敏单元及与压敏单元连接的引出单元，至少一引出单元由器件区延伸至划片区；在划片区的第二绝缘层中形成多少通孔暴露中间硅层；在引出单元上形成第持续接件及第二连接件，第持续接件位于器件区与引出单元电性连接，第二连接件利用通孔连接中间硅层与引出单元；以中间硅层作为阳极，实行阳极键合工艺；实行划片工艺。
本发明中，以中间硅层作为阳极，利用其较大的硅层暴露面积，可在相同的键合电压下开释更大电量到结合面，形成更强的静电结合力，从而提高阳极键合工艺后的键合强度。

本文源自金融界