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由于芯片内各元件及连线相称细微且精密，故在制造过程中，如果遭到尘粒或金属等污染，很随意马虎造成芯片内电路的短路或断路等，导致电路功能的失落效，进而Wafer报废。
WET工艺便是在不毁坏晶圆表面特性及电特性的条件下，利用化学药液有效的打消残留在晶圆上的尘粒，金属离子，自然氧化层和有机物等杂质。
在芯片制造中紧张是运用于如下场景:
1.扩散前的洗濯：自然氧化层的去除。2.化学机器研磨后的洗濯：晶圆的表面的洗濯和毛病去除。3.离子注入后的洗濯：PR和有机物等毛病去除。4.刻蚀后的洗濯：有机物的洗濯和毛病去除。WET的三个基本步骤：刻蚀，洗濯，干燥
湿法刻蚀中常见的洗濯流程如下(实际依赖工艺和设备而定)▌点击上方“芯小虎”关注我，分享更多的芯片知识和新闻!
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