1、芯片发热
这紧张针对内置电源调制器的高压驱动芯片。如果芯片花费的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0。6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的最大电流来自于驱动功率mos管的花费，大略的打算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf)，个中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降落芯片的功耗，必须想办法降落c、v和f。如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，把稳不要引入额外的功耗。再大略一点，便是考虑更好的散热吧。
2、功率管发热
功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。要把稳，大多数场合特殊是LED市电驱动运用，开关危害要远大于导通损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和事情频率有关，以是要办理功率管的发热可以可以从以下几个方面办理：a：不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，由于内阻越小，cgs和cgd电容越大。如1N60的cgs为250pF旁边，2N60的cgs为350pF旁边，5N60的cgs为1200pF旁边，差别太大了，选择功率管时，够用就可以了。b：剩下的便是频率和芯片驱动能力了，这里只谈频率的影响。频率与导通损耗也成正比，以是功率管发热时，首先要想想是不是频率选择的有点高。想办法降落频率吧！
不过要把稳，当频率降落时，为了得到相同的负载能力，峰值电流一定要变大或者电感也变大，这都有可能导致电感进入饱和区域。如果电感饱和电流够大，可以考虑将CCM(连续电流模式)改变成DCM(非连续电流模式)，这样就须要增加一个负载电容了。
3、事情频率降频
这个也是用户在调试过程中比较常见的征象，降频紧张由两个方面导致：输入电压和负载电压的比例小、系统滋扰大。对付前者，把稳不要将负载电压设置的太高，虽然负载电压高，效率会高点。对付后者，可以考试测验以下几个方面：a：将最小电流设置的再小点；b：布线干净点，特殊是sense这个关键路径；c：将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感；d：加RC低通滤波吧，这个影响有点不好，C的同等性不好，偏差有点大，不过对付照明来说该当够了。
无论如何降频没有好处，只有坏处，以是一定要办理。
4、电感或者变压器的选择
终于谈到重点了，我还没有入门，只能瞎说点饱和的影响了。很多用户反应，相同的驱动电路，用a生产的电感没有问题，用b生产的电感电流就变小了。碰着这种情形，要看看电感电流波形。有的工程师没有把稳到这个征象，直接调节sense电阻或者事情频率达到须要的电流，这样做可能会严重影响LED的利用寿命。以是说，在设计前，合理的打算是必须的，如果理论打算的参数和调试参数差的有点远，要考虑是否降频和变压器是否饱和。
变压器饱和时，L会变小，导致传输delay引起的峰值电流增量急剧上升，那么LED的峰值电流也随着增加。在均匀电流不变的条件下，只能看着光衰了。
5、LED电流大小
大家都知道LEDripple过大的话，LED寿命会受到影响，影响有多大，也没见过哪个专家说过。以前问过LED厂这个数据，他们说30%以内都可以接管，不过后来没有经由验证。建议还是只管即便掌握小点。如果散热办理的不好的话，LED一定要降额利用。也希望有专家能给个详细指标，要不然影响LED的推广。
说了这么多，看起来LED驱动设计并不难，一定要心中有数。只要做到调试前打算，调试时丈量，调试后老化，相信谁都可以搞LED了。
