功放的浸染便是把来自音源或前级放大器的弱旗子暗记放大，推动音箱放声。一套良好的音响系统功放的浸染功不可没。
功放，是各种音响器材中最大的一个家族，其浸染紧张是将音源器材输入的较微弱旗子暗记进行放大后，产生足够大的电流去推动扬声器进行声音的重放。由于考虑功率、阻抗、失落真、动态以及不同的利用范围和掌握调节功能，不同的功放在内部的旗子暗记处理、线路设计和生产工艺上也各不相同。
1、MOS管做功放的优点
①MOS 管功放具有鼓励功率小，输出功率大，输出漏极电流具有负温度系数，安然牢固，且有事情频率高，偏置大略等优点。以运放的输出作为OCL 的输入，到达抑止零点漂移的效果。
②中音厚，没有三极管那么大的交越失落真。
电流推进级常日由一至二级组成，为了降落输出阻抗、增加阻尼系数，常采取二级电流推进。为了防止电流推进级产生开关失落真，较好的作法是、采取MOS管并增大本级的静态电流，这样本级不会产生开关失落真，由于任何状况下电流推进级一贯处于放大区，以是电流输出级也一贯处于放大区，因而输出级同样不会产生开关失落真和交越失落真。
③MOS管的线性比晶体管好。
2、MOS管做功放的缺陷
①低频的温和度比晶体管功放差，MOSFET开关场效应管随意马虎被输出和输入过载破坏,MOSFET场效应晶体管既具有晶体管的根本优点。但利用不久创造这种功放的牢固性不高（无法外电路掩护），开关速率进步得不多和最大输出功率仅为150W/8Ω等。90年代初，MOSFET的制造技能有了很大冲破，呈现了一种高速MOSFET大功率开关场效应晶体管。
西班牙艺格公司（ECLER）经多年研讨，占领了非毁坏性掩护系统的SPM专利技能，推出了集电子管功放和晶体管功放两者优点分离的第3代功放产品，在欧洲市场上取得了认可，并逐渐在世界上得到了运用。第3代MOSFET功放的中频和高频音质靠近电子管功放，但低频的温和度比晶体管功放差一些，此外MOSFET开关场效应管随意马虎被输出和输入过载破坏。
②开启电压太高。
③偏流开很大，还是有一定的交越失落真,没交越失落真，差不多能够遇上三极管的甲类输出功耗。
④MOS管不好配对在同一批次管，相对来说要好配对一点。
⑤MOS管的低频下太硬,用MOS功放听出所谓电子管音色有一个大略方法，把普通三极管功放里的电压推进三极管换成JFET，JFET才真正具有电子管音色。
三、功率放大电路的设计功率放大电路每每哀求其驱动负载的能力较强，从能量掌握和转换的角度来看，功率放大电路与其它放大电路在实质上没有根本的差异，只是功放既不是纯挚追求输出高电压，也不是纯挚追求输出大电流，而是追求在电源电压确定的情形下，输出尽可能大的功率。
本电路采取两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如下图所示。
此电路分别采取一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，个中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态事情点。特色频率fT放大电路上限频率fH的关系为：fT≈fhβh，系统阶跃相应的上升韶光tr与放大电路上限频率的关系为：trfh=0.35。
对付OCL放大器来说，一样平常有：PTM≈0.2POM，个中PIM为单管的最大管耗，POM为最大不失落真输出管耗。根据打算，并考虑到项目哀求，本设计选用IRF950和IRF50来实现功率放大。
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