相较于异步整流的外置续流二极管，同步整流是将续流二极管换成低阻抗的MOS管并集成到DCDC芯片内部。因此，它具有更低的损耗和更高的效率，当然本钱上也会有所增加。但是在规格书上一样平常只有在同步整流芯片上才在标题上表示出来，而异步整流芯片一样平常为默认的，因此规格书上就不再解释了。
图1 异步整流办法的DCDC芯片范例电路
言归正传，DCDC芯片为什么选择肖特基二极管呢，难道普通二极管就弗成吗？确实，和普通二极管比较，肖特基二极管紧张有两个参数上风。
1）反向规复韶光
现在市情上绝大部分DCDC芯片的开关频率都是几百k到几兆乃至十几兆，如此高的频率普通二极管的反向规复韶光参数难以知足设计哀求，当然也不是所有的都知足不了。比如快规复/超快规复二极管中有些型号的反向规复韶光也可以做到小于75ns，但它又被另一个参数所限定，那便是正引导通压降。
下图所示一款超快规复二极管参数，其反向规复韶光可以到4ns，但导通电流=10mA时就达到1V；当须要大导通电流时，其导通压降可想而知了。
图2 超快规复二极管
2）正引导通压降
由于制造工艺不同，普通二极管采取PN结工艺，而肖特基二极管因此金属和半导体打仗形成的势垒为根本的二极管，简称肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），它具有更低的正向导通电压。
如图3所示的SS系列的肖特基二极管，其正引导通压降在=1A时只有零点几伏。从图4导通电流和导通压降关系图来看，电流越小导通压降越低。因此，相较于超快规复二极管肖特基二极管具有更低的损耗，更高的效率。
图3 肖特基二极管
图4 导通电流If与导通压降VF关系图
3）反向重复峰值电压
反向重复峰值电压便是二极管能够持续承受的最大反向电压。由于制造工艺的缘故原由，肖特基二极管的反向重复峰值电压比PN结型的二极管小，一样平常不会超过200V，而普通二极管可以做到几kV。
因此，续流二极管一样平常选择肖特基二极管，由于它同时具有反向规复韶光快、导通压降落等特点。虽然反向重复峰值电压较低，但在小旗子暗记或高频旗子暗记等电路中肖特基二极管基本都能知足设计哀求。
