HPB模式降压充电芯片管脚
降压充电转换器运用线路如下图所示，从输入ADPT经Q1及Q2供应VSYS能量，另一起从VSYS经Q3、Q4、L对电池进行预充、恒流、恒压充电与EOC掌握。
HPB模式降压充电芯片运用线路
充电
芯片可以透过Reg14及Reg15寄存器分别设置充电电流及电压，一旦设置为0时，降压转换器将不事情。
充电寄存器
HPB模式
可由Reg37[2]设置是否利用HPB模式，在输入电流因过流超过Reg3F寄存器设置的阀值比例时，延迟150uS后芯片启动HPB模式反向Boost放电，比例可由Reg37[5]设置，此时电池经电感、Q3及Q4供应VSYS能量，并调节输入电流在Reg3F的100%；当输入电流低于跳出阀值时，延迟50uS后芯片HPB模式并关闭Boost供电，跳出阀值可由Reg37[0]设置。
Hybrid Power Boost稠浊升压模式寄存器设置
升压模式
当适配器移除时，此时Q1、Q2关闭，Q5导通，VSYS电压即是电池电压并由电池供应能量；此时透过寄存器Reg12[15]关闭低功耗耗模式，并透过寄存器Reg38[6]使能Boost，芯片将关闭Q5并开关Q3及Q4经电感产生反向升压供应VSYS能量，可以透过Reg39设置升压电流，Reg3E及Reg38[5]设置输出电压，其电压为2个寄存器数值相加，当电池电压过低时停滞升压，可以透过寄存器Reg38[15]设置。
升压模式寄存器设置
峰值功率模式Peak Power Mode
芯片支持峰值功率模式，当VSYS超过适配器能量时，可以短暂的让适配器过流一段韶光后电池再进行补电，以延长电池利用时长，可以透过Reg38[13]使能峰值功率模式，Reg38[15:14]设置过流韶光，Reg38[9:8]设置全体模式的周期。
峰值功率模式寄存器设置
防反接电路
为了避免输入正负级接反，可以增加下图Q6中MOS用以关断适配器路径。
防反接电路
