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据行业称，三星与设备商已签署了设备条约，正在平泽新工厂中安装半导体设备，将用于批量投产第二代（1ynm）和第三代（1znm）10nm级DRAM，预估初期月产能约3万片12吋晶圆。
三星2020年第一季度成本支出7.3兆韩元（约60亿美元），个中半导体支出为6.0兆韩元（约49亿美元），同比增长近一倍。
三星还在财报中指出，会将重点放在不断增长的做事器DRAM需求上，并通过扩大1Ynm技能迁移来增强本钱竞争力，同时推进1znm DRAM的技能发展。
但随着电路的物理极限越来越近，改进旗子暗记处理速率，降落事情电压和待机电压，提高新技能的DRAM产量，成为三星推进EUV工艺量产的动力。

三星是首家在DRAM 生产中采取EUV的公司，EUV可有效的提高性能、产量，以及缩短开拓韶光，以战胜DRAM技能延伸方面的寻衅。
2020年3月，三星已经成功出货100万个业界首款基于极紫外光（EUV）技能的10nm级（D1x）DDR4模块，并已经完成了环球客户的评估，知足高端PC、移动、企业级做事器和数据中央运用。
根据DRAM技能发展，三星EUV将从第四代 10nm 级（D1a）或高度前辈的14nm级DRAM全面支配，估量2021年将开始批量生产基于D1a的DDR5和LPDDR5，届时DRAM生产效率将提高一倍。
ASML也表示，2020年第一季度的净预订量强劲，达到31亿欧元，环比增长28.4%，个中包括15亿欧元的EUV系统，EUV的需求持续强劲，部分需求来自DRAM。

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虽然受 “疫情”影响，环球消费类市场需求低迷，但是数据中央、企业等领域对DRAM和NAND Flash需求不断增加，而且目前部分欧洲国家和地区已开始复工复产，后续消费类市场对存储芯片的需求可望持续增加。
因此，三星除了积极推进新工厂投产DRAM，三星2020年3月中国西安二期一阶段工厂产品正式下线上市，紧张生产第五代96层3D V-NAND芯片，知足中国市场当地客户需求，以及知足环球不断增长的需求。
为了进一步扩大产能，三星也正在培植西安二期第二阶段项目，2021年下半年竣工。
此外，铠侠和西部数据新建的位于日本岩手县北上市的K1工厂已于2020年第一季度出货3D NAND，后续产能将持续爬坡。
同时，铠侠和西部数据还将于2020年底在四日市工厂内兴建Fab 7工厂，将用于投入生产最新的3D NAND，操持可能在2022年投入生产。