扬杰科技申请电磁樊篱封装结构制造方法专利能有效避免磁场对芯片的干扰_框架_塑封

专利择要显示，本发明公开了一种电磁屏蔽封装构造的制造方法，包括以下步骤：S100，在来料框架背面贴上防溢膜；S200，在框架上涂上导电胶，从晶圆上吸取单颗芯片，固定到框架指定位置并通过导电胶固定；S300，在芯片的旗子暗记传输口中导出金属线与框架引脚实现电气连接；S400，利用环氧树脂注塑成型；S500，将注塑成型的框架的各单元间的塑封体划槽；S600，在框架的塑封体上镀上一层磷镍；S700，在框架的塑封体上镀上一层铜；S800，在框架的塑封体上镀上一层镍；S900，在框架上镀上一层锡；S1000，将框架各单元彻底划开，成为单颗产品。
本发明能有效避免磁场对芯片的滋扰，可在高磁场下正常事情。

本文源自金融界