H27S4G8F2ETR-BI闪存芯片H27U4GF2GETR-BC_速度_初次

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SK海力士宣告业界首次成功开拓现有最佳规格的HBM3 DRAM。
HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技能，由多个垂直连接的DRAM芯片组合而成，是一种高代价产品，创新性地提高了数据处理速率。
HBM版本名称：HBM(第一代) – HBM2(第二代) – HBM2E(第三代)SK海力士去年7月在业界首次开始批量生产HBM2E DRAM后，时隔仅1年零3个月开拓了HBM3，巩固了该市场的主导权。

HBM2E ：从第二代HBM2中改进部分性能的扩展(Extended)版本SK海力士强调，“通过这次HBM3，不仅实现了目前为止的HBM DRAM中最高的速率和最大容量，还大幅提高了质量水平。
”SK海力士研发的HBM3能够每秒处理819GB的数据。
这速率相称于能够在一秒内传输 163部全高清(Full-HD)电影(每部5GB)。
与上一代HBM2E比较，速率提高了约78%。
与此同时，该产品还内置了ECC校检(On Die-Error Correction Code)。
HBM3通过该内置型ECC校检可以自身修复DRAM单元(cell)的数据的缺点，因此产品的可靠性也大幅提高。

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这次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。
特殊是24GB是业界最大的容量。
为了实现24GB，SK海力士技能团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6m)，相称于A4纸厚度的1/3，然后利用TSV技能垂直连接12个芯片。
TSV(Through Silicon Via，硅通孔技能)：在DRAM芯片打上数千个细微孔并通过垂直贯通的电极连接高下芯片的技能HBM3将搭载高性能数据中央，有望适用于提高人工智能(AI)完成度的机器学习(Machine Learning)和剖析景象变革，新药开拓等的超级打算机。
卖力SK海力士DRAM开拓的车宣龙副社长表示，“该公司推出了环球首款HBM DRAM，引领了HBM2E市场，并在业界内首次成功开拓了HBM3. 公司将巩固在高端存储器市场的领导力，同时供应符合ESG经营的产品，尽最大努力提高客户代价。
”

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