【嘉勤点评】国民技能发明的单线供电通信的通信芯片方案中，发明了一种利用单总线进行供电与通信的办理方案，有效改进了单总线的供电和高速通信的兼容问题，在担保通信芯片供电的情形下，能够进一步加快通信速率，并缩短通信的韶光。
集微网，目前，单总线通讯采取单根旗子暗记线进行通讯，单根旗子暗记线可以节省输入和输出通讯资源，不仅构造大略且本钱低，便于总线扩展和掩护等，因此被业界广泛运用。
现有的单总线通讯方案紧张有美信芯片单总线方案与英飞凌芯片单总线方案：美信芯片单总线方案采取单总线供电和通讯，由于须要兼顾单线通讯和供电，芯片通讯速率较慢；而英飞凌芯片单总线方案中单总线通讯速率可配，支持快速通讯，但是须要单独的电源供电，会影响在部分移动场景中的利用。
鉴于现有技能均存在一定的毛病，国民技能在2020年1月19日申请了一项名为“一种用于单线供电通信的通信芯片”的发明专利（申请号：202010058232.8），申请人为国民技能株式会社。
根据该专利目前公开的干系资料，让我们一起来看看这项技能方案吧。
如上图，为该专利中发明的用于单线供电通信的通信芯片的构造示意图，该通信芯片由一根供电通信线与其他通信芯片进行连接，其紧张包括有发送电路10。个中，供电通信线能够传输供电旗子暗记与通信旗子暗记，发送电路连接至供电通信线以在供电通信线上产生发送旗子暗记，即发送电路可产生发送旗子暗记，并将该发送旗子暗记通过供电通信线发送至其他通信芯片。
发送电路常日事情在第一调制事情模式或第二调制事情模式下，在第一调制事情模式中可以产生全调制发送旗子暗记（调幅旗子暗记），且调幅指数为100％；在第二调制事情模式中可以产生非全调制发送旗子暗记，其对应的调幅指数小于100％，例如为10％或20％。
之以是设置两种调制事情模式，是由于非全调制发送旗子暗记在低电平对应的韶光不进行旗子暗记的通报，因此非全调制发送旗子暗记的调制速率快于全调制发送旗子暗记的调制速率。当发送电路事情在第二调制事情模式时，能够在实现单线供电的同时，提升通信速率并降落旗子暗记传输的韶光，且能够兼容高速的单线通信与普通的单线通信，供应多样化的事情模式供用户选择，从而知足不同运用处景的需求。
如上图，为上述所说的发送电路的构造示意图，发送掌握单元11可以吸收待发送数据旗子暗记tx_data和调制模式旗子暗记tx_mode，并根据调制模式旗子暗记对待发送数据旗子暗记进行处理，从而决定是产生第一掌握旗子暗记ctrl_a还是第二掌握旗子暗记ctrl_b。
第一发送处理单元12用于吸收第一掌握旗子暗记，在吸收到第一掌握旗子暗记后事情在第一调制事情模式下，来处理该旗子暗记产生全调制发送旗子暗记；第二发送处理单元13用于吸收第二掌握旗子暗记，在吸收到第二掌握旗子暗记后事情在第二调制事情模式下，并处理第二掌握旗子暗记产生非全调制发送旗子暗记。
末了，如上图，为这种通信芯片与其他通信芯片的构造示意图，该图中，其他通信芯片作为主机芯片，该方案中提出的通信芯片作为从机芯片。主机芯片包括MCU与电源VCC、电阻R0、二极管D0以及NPN型三极管Q，MCU中设置有两个GPIO接口，并通过该接口掌握NPN型三极管Q合营二极管D0，从而实现在高速通信期间非100％调制的通信，以知足在芯片的供电不受太大影响的同时，实现高速的通信。
从机芯片除了包括发送电路10、单线接口20、掌握逻辑单元30以及吸收电路40之外，还包括二极管D1、电容C1以及电源VDD，二极管D1与电容C1可起到缓冲与滤波的浸染，电源VDD的旗子暗记来源于主机芯片中的电源VCC，通过设计发送电路和吸收电路可以实现高速通信和普通通信的兼容。
以上便是国民技能发明的单线供电通信的通信芯片方案，该方案中发明了一种利用单总线进行供电与通信的办理方案，有效改进了单总线的供电和高速通信的兼容问题，在担保通信芯片供电的情形下，能够进一步加快通信速率，并缩短通信的韶光。
