Q:功率处理怎么理解？
A:一样平常指的是变频、变压、变流、功率管理等电路处理动作。
Q:高电压有多高？大电流有多大？
A:电压处理范围常日为数百伏以上，电流为数十至数千安。
Q:范例的功率器件有哪些？
A:Diode、GTR、Thyristor、SCR、GTO、MOSFET 、IGBT、MCT、IGCT、IECT、IPEM、PEBB 等。
Q:功率器件这么多，如何分类？
A:按照导通、关断的受控情形可分为不可控、半控和全控型功率器件；按照载流子导电情形可分为双极型、单极型和复合型功率器件；按照掌握旗子暗记情形，可以分为电流驱动型和电压驱动型功率器件。
如果想学习功率器件干系知识，有推举的资料或书本吗？
细细想来，作为一名“攻城狮”，在初学阶段用的是 Prof. Ned Mohan 写的那本经典的《Power Electronics:Converters, Applications and Design》，个中功率半导体章节不算多，但是写的很细致，细细读完可以节制几种常见的功率器件基本事理。在此根本上，看了 Prof. Jayant Baliga 的《Fundamentals of PowerSemiconductor Devices》和 Prof. Josef Lutz 的《Semiconductor Power Devices》的稳定性干系部分。小伙伴们，如果有好的书本可以在留言区分享给我们哦。
功率器件发展史
电子管时期
1904 年英国佛莱明在「爱迪生效应」的根本上研制出了“热离子阀”， 从而催生了天下上第一只电子管，称为佛莱明管（真空二极检波管），天下进入电子管时期。当时的佛莱明管只有检波与整流的浸染，性能并不稳定，紧张用在通信和无线电领域。
真空管时期
1906 年，为了提高真空二极管检波灵敏度，德·福雷斯特在佛莱明的玻璃管内添加了栅栏式的金属网，形成第三个极，从此二极管摇身一变，成为三极真空管，并兼具放大与振荡的功能。
水银整流器时期
1930 年代 -1950 年代是水银整流器迅速发展的 30 年，集聚整流、逆变、周波变流等功用，广泛运用于电化学工业、电气铁道直流变电、直流电动机的传动等领域。
第一代功率器件——半控型晶闸管时期
1947 年，贝尔实验室发明了由多晶锗构成的点触式晶体管，后又在硅材料上得到验证，一场电子技能的革命开始了。
1957 年，美国通用电气公司发明了晶闸管，标志着电力电子技能的出身，正式进入了以晶闸管为代表的第一代电力电子技能发展阶段。当时的晶闸管紧张用于相控电路，事情频率一样平常低于 400Hz，较水银整流器，具有体积小、可靠性高、节能等优点。但只能掌握导通，不能掌握关断的半控型特点在直流供电场合的利用显得很鸡肋，必须要加上电感、电容以及其他开关件才能逼迫换流，从而导致变流装置整机体积增大、效率降落等问题的涌现。
第二代功率器件——以 GTO、BJT、MOSFET、IGBT 为代表的全控型功率器件时期
1970 年代，既能掌握导通，又能掌握关断的全控型功率器件在集成电路技能的发展过程中应运而生，如门极可关断晶闸管 GTO、电力双极型晶体管 BJT、电力场效应晶体管功率 MOSFET 等，其事情频率达到兆赫级，常被运用于直流高频斩波电路、软开关谐振电路、脉宽调制电路等。
到了 1980 年代后期，绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）涌现，兼具 MOSFET 输入阻抗高、驱动功率小、开关速率快和 BJT 通态压降小、载流能力大、耐压高的优点，因此在中低频率、大功率电源中利用广泛。
各功率器件功率频谱（左）&耐压功率（右）比拟图 （图片来源：知乎）
第三代功率器件——宽禁带功率器件
随着以硅材料为根本的功率器件逐渐靠近其理论极限值，利用宽禁带半导体材料制造的电力电子器件显示出比 Si 和 GaAs 更精良的特性，给功率半导体家当的发展带来了新的活气。
2014 年，美国奥巴马政府连同企业一道投资 1.4 亿美元在 NCSU 成立 TheNext Generation Power Electronics Institute，发展新一代宽禁带电力半导体器件。
相对付 Si 材料，利用宽禁带半导体材料制造新一代的功率器件，可以变得更小、更快、更可靠和更高效。这将减少功率器件的质量、体积以及生命周期本钱，许可设备在更高的温度、电压和频率下事情，使得功率器件利用更少的能量却可以实现更高的性能。
下面用一图展示一下目前最范例的宽禁带功率器件的 4 个紧张参数比拟情形，个中：
01
禁带宽度 Eg 增加
反向泄电减小，事情温度高，抗辐射能力强。
02
更高的临界电场
导通电阻减小，阻断电压增大。
03
热导率
高的热导率，代表热阻小，热扩散能力好，功率密度高。
04
更快的饱和漂移速率
开关速率快，事情效率高。
功率器件国内外行情
据日本富士经济（Fuji Keizai）2019 年 6 月发布的功率半导体环球市场报告显示，汽车、电气设备、信息和通信设备等领域对下一代功率半导体(SiC 和 GaN)的需求将增加。估量到 2030 年(与 2018 年比较) SiC 发展 10 倍，GaN 翻至 60 倍，Si 增长 45.1%。该机构还指出 SiC 功率半导体市场紧张在中国和欧洲扩展，从 2017 年~2018 年，SiC 增长 41.8%至 3.7 亿美元。目前 SiC -SBD(肖特基势垒二极管)占 70%，并且需求增加点紧张分布在信息和通信设备领域。6 英寸晶圆的推出使得本钱降落，估量将进一步增长。此外 SiC -FET (场效应晶体管)紧张在汽车和电气设备领域大大扩展。
另据 Strategy Analytics 预测，到 2026 年，对电力电子元件的需求将占 HEV/EV 动力系统半导体总本钱的 50%以上。在 Strategy Analytics 日前发布的“HEV-EV 半导体技能展望：SiC 和 GaN 将发挥何种浸染”的报告中显示，提高车载电子的系统效率须要碳化硅(SiC)和氮化镓( GaN)等根本元件，这就为汽车半导体行业未来创造更高的利润率和盈利机会。
功率器件市场整体向好，但纵不雅观全体功率器件市场，却呈现了欧美日厂商三足鼎立的不平衡发展局势。
根据 IHS 的剖析，2017 年环球前 10 大厂商清一色为欧美日企业，供应规模占比达到了环球的 60％以上，个中 Infineon（18.5％）、ONSemiconductor（9.2％）、ST（5.3％）分别依次位列前三位。从体量上看欧洲功率器件厂商彷佛不占上风，但是以英飞凌为首的几家企业绝对是霸主地位的存在。
美国：TI、Fairchild、Maxim、ADI、ONSemiconductor、Vishay、NS、Linear、IR、AOS、Cree、littlefuse、Diodes Incorporated、IXYS、Microsemi 等。
欧洲：Infineon、ST、NXP、Semikron、ABB、Vincotech、Danfoss 等。
日本：Toshiba、 Renesas、 Rohm、Matsushita、Fuji Electric、NEC、Ricoh、Sanken、Seiko、Sanyo、Sharp、Fujitsu、Mitsubishi 等。
在国际巨子面前，海内本土厂家显得扞格难入，以供应二极管、晶闸管、低压 MOSFET 等低端功率半导体器件为主，还处在家当链的末端。
与供给端形成光鲜比拟的是海内的需求端。据赛迪顾问数据显示，2016 年，中国功率半导体市场规模达到了 1496 亿元，霸占了环球 40%以上的市场。另据 Yole 和中国半导体协会数据显示，2017 年中国大陆功率半导体器件发卖额达 2170 亿元公民币，同比增长 3.93％，约霸占环球市场份额的 39％，其次才是欧洲地区的 18％；其余，美国和日本的发卖额占比差不多，分别为 8％、6％。
再加上中美贸易战等大环境对功率器件价格的影响，功率器件成为了继 MLCC 等被动元件之后的涨价之最。同时，各大厂商交货周期几次再三延长，并致使紧张功率器件原厂 2019 年上半年产能都被预订完。
2018 年上半年低压（上）、高压（下）MOSFET 交货周期情形 （图片来源：中泰证券研究所）
国际环境不容乐不雅观，中国电子家当难免受到不同程度的影响，这对付本土厂家来说是机会更是寻衅，争取早日完成国产替代是他们的义务。
就目前来看，像耕耘于 MOSFET 的华微、扬杰、士兰微，精于 IGBT 的嘉兴斯达、中国中车、比亚迪、士兰微，在 SiC 领域有所建树的北京泰科天润、华天恒芯，海内最早布局 GaN 领域的苏州能讯、苏州晶湛、江苏能华、杭州士兰微、江苏华功半导体等本土企业，在用量最大的 0-40V 低压领域的替代机会最大，同时在 400-6500V 的高压领域开始有了本土企业的声音，但在 40-100V、100-400V 运用较多的中间领域还是一块硬骨头。
环球十大功率器件厂商及产品先容
Infineon（英飞凌）
Infineon 脱胎于西门子半导体部门，于 1999 年 4 月 1 日在德国慕尼黑正式成立，是欧洲最大的半导体公司，其功率半导体在环球排名第一。其紧张功率器件产品包括高度可靠的 IGBT、功率 MOSFET、氮化镓增强型 HEMT、功率分立式元件、保护开关、硅驱动器、氮化镓驱动器、IGBT 模块、智能功率模块（IPM）、线性调节器、电机掌握办理方案、LED 驱动器以及各种互换 - 直流、直流 - 互换和数字功率转换等，涵盖了所有功率技能——硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），功率方面覆盖微安级到兆瓦级。
ONSemiconductor（安森美）
ON SemiconductorCorporation 创立于 1999 年，是环球高性能电源办理方案供应商。其紧张功率器件产品包括汽车工业 MOSFET、整流器、IGBT，全面的高能效电源和旗子暗记管理、逻辑、分立及定制方案阵容，使其在汽车、通信、打算机、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事 / 航空及电源运用领域都有良好的表现。
ST（意法半导体）
ST 集团于 1987 年景立，是由意大利的 SGS 微电子公司和法国 Thomson 半导体公司合并而成，是天下最大的半导体公司之一，也是天下领先的分立功率器件供应商之一。其产品范围包含 MOSFET (包括利用创新的 MDmeshTM 第二代技能的器件)、双极晶体管、IGBT、肖特基与超快速规复双极工艺二极管、三端双向可控硅开关及保护器件。此外，意法半导体的专利 IPAD（集成有源和无源器件）技能，许可在单个芯片中整合多个有源和无源元件。
Mitsubishi（三菱电机）
Mitsubishi 成立于 1921 年，主营功率器件包括 IGBT、IPM、MOSFET 和 SiC 器件，并在白色家电、工业掌握、智能电网、轨道交通、绿色能源、卫星、防御系统、电梯及自动扶梯、汽车用电子用品、空调、透风设备等领域的电力变换和电机掌握中得到广泛运用。
Toshiba（东芝）
Toshiba 创立于 1875 年，这天本最大的半导系统编制造商，从属于三井集团。东芝的功率器件产品包括广泛的二极管产品组合、双极晶体管、VDSS 为 500~800V 的中高压 DTMOSIV 系列，VSS 为 12~250V 的低电压 UMOS 系列、SiC SBD，以及智能功率器件(IPD)IC，包括 60V 的低电压 IPD、和 250V/500V 的高压 IPD，可分别运用于娱乐、汽车设备,以及家用电器和工业设备等领域。
Vishay（威世）
Vishay 集团成立于 1962 年，是天下上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商和供应商之一。其紧张产品包括无源和分立有源电子元件，特殊是电阻、电容器、感应器、二极管和晶体管。广泛运用于打算机、电话、电视、汽车、家用电器、医疗设备、卫星、军用及航空设备领域。
Fuji Electric（富士电机）
Fuji Electric 成立于 1923 年，是一家以大型电气机器为主产品的日本重电机制造商，主营功率器件包括整流二极管、功率 MOSFET、IGBT、电源掌握 IC、SiC 器件等。值得一提的是，富士还是日立的 IGBT 芯片供应商。拥有全天下最多的 IGBT 器件方面的技能专利，总数达 500 件。现在，富士电机的 IGBT 险些盘踞了整日本的电动汽车领域。
Renesas（瑞萨）
Renesas 于 2003 年，由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立，是天下十大半导体芯片供应商之一。其主营仿照功率器件包括双极型功率晶体管、功率二极管、功率 MOSFET、晶闸管和 IGBT，广泛运用于汽车、工业、家居、办公自动化、信息通信技能等领域。
Rohm（罗姆）
Rohm 创立于 1958 年，是环球著名半导体厂商之一。其主营功率器件包括晶体管、二极管、IGBT、SiC 功率器件和智能功率模块，其功率器件产品线是小型高可靠性产品阵容的范例代表。
Semikron（赛米控）
Semikron 成立于 1951 年，总部位于德国纽伦堡，是环球领先的功率模块和系统制造商之一。其产品紧张涉及中等功率输出范围（约 2 kW 至 10 MW），是当代节能型电机驱动器和工业自动化系统中的核心器件，广泛运用于电源、可再生能源（风能和太阳能发电）和电动车（私家车、厢式货车、公交车、卡车、叉车等）领域。同时，Semikron 也是环球前十大 IGBT 模块供应商，在 1700V 及以下电压等级的消费 IGBT 领域处于上风地位。目前，赛米控在环球二极管和晶闸管半导体模块市场霸占 25%的份额。
敢问路在何方？
站在政府和供给端企业角度来说，功率器件领域，欧美日三足鼎立的局势暂时不会改变，而海内市场需求大，本土厂商应援还存在问题，如何尽快地完成国产替代是未来地一场攻坚战，如何打赢？天时地利人和。
站在技能的角度来说，功率器件必将向高功率、高频率、高效率和易驱动方向发展，而后 IGBT 时期的新材料的涌现可以加速这一系列目标的实现。
站在需求端企业和工程师个人的角度来说，需求永久都是一样的，那便是性能强大一点、功能完善一点、价格便宜一点、供货周期短一点、做事好一点，权衡这几个成分，那家好用哪家。小伙伴们，你们说呢？
