由于51单片机的P0口是地址和数据复用，以是如果要想利用P0口的地址进行译码，就必须对P0口的地址输出进行暂时锁存，以便在后面时序中进行利用。目前，根据51单片机的时序特性，在进行地址锁存时一样平常可以采取两种地址锁存方案：高电平地址锁存法和低落沿地址锁存法，须要解释的是，这里所述的“高电平”和“低落沿”两个观点是针对51单片机的ALE端旗子暗记而言。下面结合详细的电路详细先容。
1. 高电平地址锁存法高电平地址锁存法中选用74LS373或者74LS573芯片，以74LS573为例，其真值表如表4-5所示。
表4-5 74LS573真值表
由真值表不丢脸出，这个芯片的特点是在输出掌握端OE有效(低电平)的条件下，当锁存端LE为高电平时，输出端Q随着输入端D变革，而当LE为低电平时，输出端Q保持上一次的输入端数据，这样的逻辑恰好符合有关单片机ALE端旗子暗记的变革情形，即ALE端为高电平时，单片机P0口的低8位地址旗子暗记输出到74LS573的输入端，而输出端跟随变革，一旦ALE变为低电平，74LS573便不再跟随单片机的P0口地址变革，由于这时(该当是过一下子)P0口立时就要输出8位“数据”了，这样便完成了单片机低8位地址的锁存。如图4-21所示为单片机的高电平地址锁存法接线图。
图4-21 单片机的高电平地址锁存法接线图
2. 低落沿地址锁存法低落沿地址锁存法在实际设计中并不是很常见，但是这里仍做一个大略的先容，目的是让读者开拓思路，理解问题的本色。在这种方法中选用74LS374或者74LS574芯片，以74LS374为例，其真值表如表4-6所示。
表4-6 74LS374真值表
由真值表不丢脸出，这个芯片的特点是在输出掌握端
有效(低电平)的条件下，当锁存端LE输入上升沿旗子暗记时，输入端D的旗子暗记才能送到输出端Q，而当LE为非上升沿时，输出端Q保持上一次的输入端数据，这样的逻辑恰好符合我们在第一节剖析的有关单片机ALE端旗子暗记的变革情形，即ALE端为高电平时，单片机P0口的低8位地址旗子暗记输出到74LS374的输入端，但是输出端不跟随输入端变革，一旦ALE旗子暗记变为低电平，这样便瞬间产生了一个低落沿，但是74LS374须要的是一个上升沿旗子暗记才能将数据从输入端传进输出端，为此，必须在ALE与CLK端进行反相。这样，在单片机全体读写数据的过程中，74LS374的输出端，也便是锁存的单片机的低8位地址就不再变革了，由于ALE端旗子暗记在一次读写过程中是始终保持低电平的，不会再次产生低落沿，也就不会再次更新74LS374的输出端，也同样完成了单片机低8位地址的锁存。如图4-22所示为单片机的低落沿地址锁存法接线图。
图4-22 单片机的低落沿地址锁存法接线图
