可控整流电路是在整流电路中釆用可控整流器件或电路，如晶闸管、IGBT等，个中晶闸管可控直流电流为主流电路。可控整流电路其整流输出电压大小可以通过改变整流或 开关器件的导通、关断韶光来调节。
全部由晶闸管构成的掌握电流，称为全控整流电路，由晶闸管与晶体二极管稠浊构成 的掌握电路，则称为半可控整流电路。
一、单相全控半波整流电路。
下图所示为单相全控半波整流电路。
晶闸管输出的电流(能量)受触发脉冲的掌握，在正半周触发脉冲涌现的韶光(相位)决定VS导通的韶光，图中触发脉冲涌如今t1时候，VS则在t1〜t2内导通，0〜t1韶光内VS不导通。的韶光越长，VS输出的能量越多，因而可实现可控整流。
单向晶闸管(SCR)是指其触发后只许可一个方向的电流流过的半导体器件，相称于一个可控的整流二极管。它是由P-N-P-N共4层3个PN布局成的。下图所示为单向晶闸管的实物形状及导通和截止特性。
二、单相半控桥式整流电路。
下图所示为单相半控桥式整流电路。在桥式整流电路的4个二极管中，有两个整流二极管用晶闸管取代。
单相半控桥式整流电路的事情过程：
在0〜t1期间，U2电压为正半周其极性是上正下负时，即a点为正、b点为负，由于无触发旗子暗记到晶闸管VS1的G极，VS1不导通，VD4也不导通。
在t1~t2期间，U2电压的极性仍是上正下负，t1时候有一个触发脉冲送到晶闸管VS1和VS2的G极，VS1导通，VS2虽有触发旗子暗记，但由于阳极度为负电压，因此VS2不能导通。VS1导通后，VD4也会导通，有电流流过负载Rl，电流路子是：a点-VS-Rl-VD4-b 点。
在t2时候，U2电压为0v，晶闸管VS1由导通转为截止。
在t2~t3期间，区电压变为负半周，其极性变为上负下正，由于无触发旗子暗记到晶闸管 VS2的G极，VS2、VD3均不能导通。
在t3时候，S电压的极性仍为上负下正，此时第2个触发脉冲送到晶闸管VS1、VS2的G极，VS2导通，VS1因处于反向偏置状态而无法导通。VS2导通后，VD3也导通，有电流流过负载Rl，电流路子是：b点-VS2-RL-VD3-a点。
在t3〜t4期间，VS2、VD3始终处于导通状态。
在t4时候，U2电压为0，晶闸管VS2由导通转为截止。往后电路会重复0〜t4期间的事情过程，结果会在负载Rl上得到图(b)所示的直流电压Ul。
单相半控桥式整流电路的打算方法。
改变触发脉冲的相位，电路整流输出的脉冲直流电压Ul大小也会发生变革，其值如下
三、三相全控桥式整流电路。
下图所示为三相全控桥式整流电路的构造和输岀波形。
该整流电路的构造与功能与三相桥式整流电路形似，只是将6只整流二极管换为6只晶闸管， 晶闸管的导通须要触发旗子暗记，因而可控。
图(a) 所示的三相全控桥式整流电路每相中的晶闸管在导通周期受到触发旗子暗记 的浸染才能导通，因而每个导通周期的导通韶光是可控的，这样就可以掌握整流电路输出的总能量(电流)。
三相全控桥式整流电路事情事理如上图 (c)所示，将三相整流电路分解为三个单相的整流电路，全体三相可控整流电路的输出为三个单相输出电流合成的效果，釆用这种可控整流办法，可以掌握整流输出的电压(或能量)。
