正面3D效果图
反面3D效果图
顶层布线图
内层1布线图
内层2布线图
底层布线图
本设计基于：Windows11操作系统
设计软件：立创EDA，浏览器：Firefox
电调的浸染：电调是电子调速器的简称，英文：Electronic Speed Control，简称ESC。浸染是掌握电机的运转速率。输入直流电，可以接稳压电源或者锂电池。一样平常用2-6节锂电池供电。输出是三相脉冲直流，直接与电机的三相输入审察连。电调还有一根旗子暗记线连出，用来与吸收机连接，掌握电机的运转。
设计目的：此款电调运用于无人机，此版电调不适宜大规模生产，只作为验证利用
设计电调电路板所需知识：直流、互换电，PWM旗子暗记，MOS监工作事理，半桥、全桥驱动器，无刷电机事情事理
设计步骤
1.确定电调利用的软件系统
我选择BLHeliSuite (常称为bls)开源电调系统
开源地址：https://github.com/bitdump/BLHeli
根据网络资源可得知bls电调利用EFM8BB21F16G-C-QFN20微处理器，这是一颗来自SILICON LABS的8位单片机，查询datasheet（数据手册）可得知它利用了C8051内核，事情电压范例值：3.3V，主频50Mhz，内置16KB Flash，2304byte RAM，封装为QFN20。
单片机布局图
2.深入理解电调事情事理
利用CSDN等技能论坛可可以深入理解电调事情事理图
1.掌握旗子暗记 ---> MCU ---> 栅极驱动器 ---> N Mos大功率晶体管 ---> 电机
2.反馈电路 ---> MCU
3.电池输入电压 ---> N Mos大功率晶体管
4.电池输入电压 ---> 降压至5~10V (栅极驱动器供电电压) ---> 降压至3.3V (MCU供电电压)
3.芯片选型 (根据个人需求进行选择，例如，Mos可以选择Infineon的金封Mos，内阻更小，散热更好，但本钱更高)
栅极驱动器:FD6288Q（宽电压）
N Mos大功率晶体管:NCE30H14K（支持高电压/30V，大电流/140A，价格相对较低）
降压芯片:UMW78M09（Max 1A），UMW AMS1117-3.3（Max 1A）
4. 开始设计
1) 根据开源软件确定硬件连接，并画出事理图
BLHeliSuite源代码
BLHeliSuite源代码
如上图，确定MCU IO的功能，与栅极驱动器连接旗子暗记线
主芯片IO引出
栅级掌握器
根据芯片数据手册构建芯片外围电路
主芯片设计参考图
栅级掌握器范例运用电路
主芯片外围电路
栅级掌握器外围电路
连接栅极驱动器与mos晶体管
mos晶体管电路
电池供电接口，滤波与LDO降压
供电电路
至此所有功能均已实现，事理图设计完成
2) 绘制PCB文件
电调PCB比较分外，必须同时知足多个条件
1. 电源导线能够通过大电流
2. 滤波电容的放置
3. 电路板体积，大小
4. 散热
5. 用户利用方便
1.按照我个人的设计思路，先设计出电路板尺寸形状
1.1由于6个MOS必须按照32排列，即可得出电路板的宽度
1.2大概排布紧张元件，即可得出电路板的长度
电路局部图（mos晶体管）
2.接下来支配所有原件位置
2.1将芯片（MCU，MOS，LDO）与其外围电路（电阻电容等）紧密放置，但要流出一定空间方便焊接、引出过孔，把稳适当阔别高压元件以防短路
2.2放置滤波电容 (靠近电源输入OR靠近用电器 (MOSFET))
2.3放置ADC配置电阻（靠近MCU）
主芯片外围电路
栅极掌握器外围电路
MOSFET外围电路
9V LDO
3.3V LDO
滤波电容
更多滤波电容
3.连接导线（需按照DRC设计规则进行）
3.1连接紧张电源导线（把稳导线宽度，我选用了80mil的导线宽度，并做开窗附锡处理，以应对大电流）
3.2连接旗子暗记线（长度只管即便缩短，不要有直角弯，宽度10mil标准宽度即可）（利用4层板，电源、旗子暗记分离）
3.3连接LDO电源（9V、3.3V）（宽度可适当加宽至14mil，路径上只管即便少过孔）
旗子暗记线
电源铜箔
电源铜箔
4.铺铜
4.1电源正极到MOS大面积铺铜
4.2剩余部分为GND负极铺铜（包括4层铜箔）
4.3电机焊盘到MOS适当铺铜
5.丝印（丝印应方便利用者理解接口用场，必须清晰，易理解）
5.1电源正负极丝印
5.2电机接口丝印
5.3旗子暗记输入接口丝印
5.4调试接口丝印
5.5装饰性丝印（可选）
供电丝印
调试接口
电机连接处丝印
装饰性丝印
恭喜，你已经成功得到了一张电调PCB电路板，可以检讨DRC后天生制板文件交给厂方制作了。
背面3D仿照图
