“离子刀”大年夜尺寸晶圆异质集成技能取得进展_中国科学院_暗记

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▲“离子刀”异质集成技能实现大尺寸晶圆级硅基铌酸锂异质集成材料与芯片制备示意图。
中国科学院上海微系统与信息技能研究所供图

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得益于优秀的材料质量和器件制备技能，器件在10Hz至1MHz频率范围内的三角波电压旗子暗记下的调制效率稳定，在丈量频率范围内器件保持稳定的半波电压-长度积（VpiL）值。
同时，器件具备较好的低直流漂移特性，证明薄膜铌酸锂材料和氧化硅包层的沉积质量较好、毛病较少。
调制器的光眼图测试结果显示，在非归零调制旗子暗记下传输速率达到88 Gbit/s，四电平脉冲幅度调制（PAM-4）旗子暗记下传输速率达到176 Gbit/s。

据理解，研究团队通过“万能离子刀”技能，在国际上率先实现铌酸锂单晶薄膜与八英寸硅光芯片异质集成，两者结合展现出优秀的电光调制性能。
中国科学院上海微系统与信息技能研究所异质集成晶圆团队目前已验证该工艺路线进一步扩展至八英寸的可行性，未来可实现大规模的商业化制备。

来源：中国科学报（2024-03-28 第3版综合）

责编：宋同舟

标签：异质