光刻机正是制约我国半导体工艺水平的一个主要瓶颈，而目前EUV光刻机商用化本钱又过于高昂，一台光刻机的价格可以与一座大学的培植成本相媲美，这也让我国想要制造出有竞争力的7nm芯片有些力不从心。
如果我们费钱买空军，买到这台光刻机了，那我们就能够生产出有竞争力的7nm芯片了吧?
很显然并没有这么大略，就算我们有这台光刻机，但是想要打出7nm的芯片依然是一个不小的寻衅。
EUV光刻机比较较目前海内利用的193nm深紫外光刻机好在哪里呢?
首先，EUV光刻机是利用13.5nm波长的极紫外光进行曝光的，这款机器的好处就在于其曝光的分辨率与成像清晰度都要远超传统的光刻机，可以说够到了靠近光学极限。
当然这也让EUV光刻机的曝光过程大大简化，大大减少了制程所需的环节，不须要再进行多次曝光，只须要一次曝光就能够完成晶体管的制作，这样制程也大大减少了，降落了发生毛病的风险。
但是EUV光刻机能够实现7nm工艺的研制化是在2019年，而且全天下也只有几台EUV光刻机可以实现7nm工艺的生产，而这几台光刻机险些都被瓜分在台积电、三星和Intel这几家跨国巨子手中。
这些巨子在制造7nm芯片时涉足多个细分领域，每一个细分领域都是其他企业或者国家很难进入的。
EUV光刻机涉及的便是半导体设备领域，这是不同国家实现7nm工艺的一个主要成分。
EUV光刻机的利用在生产本钱以及稳定性方面极高，一台EUV光刻机的价格可以高达上百万美元，如果这些巨子涌现问题难以连续扩充产能乃至受到制裁，那么EUV光刻机的供应可就会涌现断链，这无疑会让制造7nm工艺的芯片的本钱暴涨。
当我国买到了EUV光刻机后，利用EUV光刻机生产7nm芯片的最大问题就在于，光刻机仅仅是半导体工艺中的一个环节，我们制造芯片依然面临技能和供应链的寻衅。
首先我们来看看半导体工艺的过程，设计制造完毕的芯片还须要将设计图转化为实体电路，这一步工艺我们称之为“曝光”。
曝光工艺是将设计图在光刻机的利用下，逐层地“转移”到硅片上的，而芯片的制造过程等分为几十道工艺，芯片上的每个元件都是由不同的工艺形成的，个中就包括曝光工艺、沉积工艺等。
如此成千上万次的叠加加工终极才形成一个完全的芯片。
光刻机在制造芯片的过程中，就扮演着将设计图“打印”到硅片上的角色，而这张“照片”的风雅程度决定了芯片上最小的线宽，也决定了芯片的工艺水平。
因此，光刻机就成为芯片制造的关键设备，但是就像前文所言，EUV光刻机的价格过高，一台EUV光刻机的价格就足以与一座大学的培植成本相媲美。
但是当我们买到了这台光刻机之后，生产7nm工艺的芯片还面临着一系列的难题，从实验用到大规模生产，又是不同层次的本钱，要将实验作为标准的半导体工艺实现量产也要投入更多的本钱，这一过程也将面临资金短缺、韶光紧迫这些苦差事。
而量产的本钱与实验生产阶段又各有高下，此阶段更须要成熟的制造技能以及风雅的生产辅导，否则一旦涌现问题将会面临大批量生产的丢失，这也是大家一贯在说的“量子震荡”问题。
要将7nm芯片做成，不仅要办理7nm芯片的核心问题，同时还要办理各个环节上的问题。
制约我国7nm芯片的数字。EUV光刻机是能够实现7nm奈米工艺的光刻机，但是半导体芯片的制造并不仅仅只须要一个EUV光刻机，要想实现7nm工艺的全流程制造还须要有多种前辈的设备和材料，紧张包括光刻机、蚀刻设备、化学气相沉积设备、离子注入设备、退火炉设备以及各种高端材料。
然而目前我国生产绝大部分设备和材料的企业紧张集中在较低工艺水平上，与7nm工艺的芯片比较，我国制造设备和材料的工艺大多掉队了5到10年，乃至有的还掉队了20年。
对付像EUV光刻机这样的高精密光刻机，我国目前的生产商还不能实现国产化，EUV光刻机的超高精度制造很难做到完美，这决定了国产EUV光刻机的性能和稳定性远远比不成材口机。
因此海内企业要想打造出匹敌入口的EUV光刻机，一是须要耗费大量的“钱”；二是须要依赖拥有多年履历的技能人才，由于短韶光内想要实现国产化险些是不可能的。
从国产光刻机的投入产出成本来看，无论是在性能方面还是在稳定性方面都比不成材口机，因此目前我国在光刻机方面依然紧张依赖入口机。
除了光刻机方面，其他半导体设备和材料在国产化上也面临着同样的问题，由于海内设备和材料的工艺水平较低，因此我国在生产芯片的时候都须要依赖入口设备和材料。
然而受到地缘政治和国际环境的影响，外部环境的不稳定性给我国半导体家当的发展带来了一定的不愿定性，入口设备和材料的供应链很可能会涌现断链，这就给我国半导体家当的发展带来了很大的寻衅。
若是我国能够战胜在硬件设备和材料方面的严重依赖问题，将这些环节上的问题逐一办理，不仅能够实现我国7nm工艺芯片的研制与生产，还能够摆脱技能和供应链的限定，推动我国半导体家当的康健发展。
国产化是制约我国7nm的另一个数字。6nm和7nm的关键点是EUV光刻机的利用，然而EUV光刻机的商业化还有一定间隔，除了13.5nm的极紫外光刻机的价格昂贵，其商用化的稳定性也并不是特殊的好。
其余，EUV光刻机一贯以来便是一个制约性成分，最早的目标是2015年，但是由于技能问题，终极是在2019年才得以实现的商业化。
虽然EUV光刻机在国外技能上并不断呈现，但是我国在这方面的技能积累还是较为薄弱。
其次，EUV光刻机在商业化后虽然在市情上已经有一定的种类，但是EUV光刻机的亲密度较高，同时也是一种无形的垄断。
在商用机的生产上，目前只有荷兰的ASML公司在生产。
正由于有垄断水平，因此EUV光刻机的供应更加紧张，目前海内只有台积电和三星有EUV光刻机的利用资格，而且其供应有一定的不愿定性。
但是要生产出好的芯片，必须有好的设备，这也是我国半导体家当上的一个瓶颈。
我国的一项政策对半导体领域的入口设备和材料进行了限定，个中就包括光刻机等EUV设备。
这样一来，其入口的渠道也受到了一定的限定。
其余，在半导系统编制造上，还涉及到各种材料的生产和加工，这些材料的生产和加工都会受到一定的限定，影响我国的半导体家当发展。
EUV光刻机的研究和生产都是须要韶光的，而我国半导体家当的发展仍有一定的韶光差，因此要想实现与国际同步的研制和生产，就须要加大研发投入和家当链培植。
要想实现7nm的芯片制造，还须要国际上比较前辈的芯片制造技能，这是实现7nm工艺制造的关键。
要想实现这些关键技能的打破，就须要我国自主研发，同时要加强与国际互助和技能互换，接管环球前辈的技能和履历，领悟我国自身的特点和上风，才能实现7nm工艺的制造和打破。
结语
7nm工艺的芯片虽然物理尺寸小，但是质量却非常高，只有半导体家当高度发达的国家才能够进行研发和生产，我国也正急需打破目前的瓶颈，提高半导体家当的技能水平，同时还须要加强家当链培植，打通家当高下游关系。
制订好政策和发展计策、武断信心、同心协力，相信我国半导体家当一定能夎早实现7nm工艺的打破。
