昨天瀚海狼山的推文中提到，军用芯片的分外性能哀求比民用芯片更高，在民用芯片大多用单晶硅晶圆为基本制造载体的情形下，军用芯片更多的采取化合物半导体材料作为基本载系统编制造，最范例的比如砷化镓。实际上砷化镓一类的半导体，在民用微电子领域同样主要。单靠硅晶圆芯片并不能包办统统。尤其在进入5G时期往后，砷化镓芯片的主要性更加突出。可以说离开了这种材料5G将寸步难行。而在砷化镓芯片方面，我们的需求比硅晶圆的生产技能和产量的提高还要急迫！
砷化镓，其化学简式为 GaAs，是一种黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃高温以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀，是一种主要的半导体材料。砷化镓在高温等恶劣环境下的稳定性要强于单晶硅等半导体材料，这也是军用芯片多用砷化镓的一个主要成分之一。
砷化镓芯片，便是用半导体砷化镓器件构成的集成电路。砷化镓集成电路包括了砷化镓超高速集成电路VHsIC、微波单片集成电路MMIC和光电集成电路OEIC。以砷化镓半导体材料为主所制作的集成电路，其有源器件紧张是金属肖特基场效应晶体管MESFET和结型场效应晶体管JFET；同时还包含了用分子束外延MBE和有机金属汽相沉积MOCVD成长的材料所制作的高电子迁移率晶体管HEMT和异质结双极晶体管HBT等器件所研制的集成电路。砷化稼集成电路在民用和国防中有着许多主要用场，而且是硅集成电路所替代不了的。其紧张运用领域是：通信卫星、电视卫星吸收、移动通信、高清晰度电视、微波毫米波数字频率源、光通信、超高速率讯号处理、微型超级打算机、恶劣环境下用打算机和掌握机、高性能仪器、微波传感以及许多主要的国防军用电子装备等。
砷化镓芯片具有的上风紧张包括：高频率、高速率、高功率、低噪声和低功耗。CMOS的事情频率上限大约为150MHz，与双极晶体管技能相结合的BiCMOS可以将事情频率提高到300MHz，再哀求提高频率将不得不采取ECL技能，其事情频率可以提高到2～ 5GHz。但其功耗太大，产品竞争性差。其趋势是采取砷化镓技能，其事情频率可达到5～ 10GHz以上，功耗适中。因而是高速系统，特殊是2.4Gb/s以上系统更加适用。我们都知道，在5G时期，超大容量的超高速信息交流的根本性物理事理，便是无线旗子暗记的超高频率。而在超高频率旗子暗记的传输和发射设备上，自然就更离不开砷化镓芯片。目前我们每年花费了环球60%以上的各种芯片，但海内制造商的发卖收益仅占环球的18%。而砷化镓是环球化合物半导体运用领域最主流的产品，行业规模近千亿美元，而且还会高速增长。海内的军用类砷化镓芯片，是完备自给自足，年产量和花费量都有限。但是在这个每年近千亿美元的环球民用砷化镓芯片的大蛋糕，过去我们的海内企业险些完备吃不到！
这是由于砷化镓器件的工艺制造过程比硅器件困难许多，截止2017年年底，海内居然没有一家公司可以生产成熟的民用砷化镓微波单片芯片MMIC，所有手机生产厂商所需的砷化镓MMIC芯片全部依赖入口，对我国的半导体家当和通讯家当造成了巨大的利润丢失的好隐患。在我方的5G技能环球领先的情形下，这是不能容忍的。好在海内某企业的此类新建芯片生产线已经投产。年产可达数十万片。可知足海内市场对砷化镓MMIC芯片的急迫需求，彻底旋转海内砷化镓MMIC芯片完备依赖入口的局势。
