硬件设计把稳事变：
1）VDD供电要稳定，电池通过LDO后单独拉线供电,建议不要和主控和其他芯片串在一起供电。
2）RIN 脚的电容挂10PF旁边，智能锁上现有客户紧张都是挂6.8PF和10PF为主。
3）芯片VDD电压和外围上拉的VDD要同等，不一致的时候和请单独咨询。
4）从芯片的SIN脚到按键焊盘的走线只管即便短，SIN线和SIN线之间的间距越大越好，平行走线数量越少越好。
5）SIN线上的电阻靠近芯片，也可以根据版型情形去掉这个电阻。
6）SIN和RIN线的阁下和底层不要有地，阁下的地和底层的地要和SIN线的间隔保持 0.5mm以上，越大越好，若是无法担保0.5mm以上间距的时候也可以缩短，请详细咨询技能支持职员。
7）SIN线和天线的间距越大越好，SIN线和天线不管是在同一层或者不同层，平行走的间隔越短越好，SIN线和天线在不同层之间可以交叉走线,SIN线和天线走线只管即便不要重叠，轻微重叠一点没紧要,但不要完备重叠。
8）音频线不要走芯片下面,晶振只管即便不要放在芯片和按键焊盘背面。
触摸芯片智能锁
软件寄存器设置(电容式触摸芯片 - GTX314L为例)
本文档中的寄存器设置针对普通的智能锁设计，针对滋扰大，走线密的产品除了本文中涉及到的设置方法以外还有一些隐蔽的寄存器设置，当碰着这种分外的情形的时候可以单独技能咨询。
逻辑顺序：上电初始化->进入待机设置->唤醒时重新进行上电初始化
软件寄存器设置(电容式触摸芯片 - GTX312L为例)
GTX312L芯片的软件部分由于GTX314L芯片比GTX312芯片多了两个按键，以是只须要上电初始化的时候通过加0x05寄存器写0F来关闭两个通道即可，其他都一样。
用GTX312L芯片PIN TO PIN更换TSM12方法：
如果客户原来利用的是TSM12芯片，当更换成GTX312L的时候须要做如下改动：
1)原来TSM12事理图中第15脚上的电阻换成5PF~10PF旁边大小的电容。
2)原来TSM12事理图中第16脚悬空处理。
3)如果客户想改动小就按上面1和2项处理，如果客户想进一步节省本钱的话，可以把其他脚上的器件全部拿到,但是I2C上的10K上拉要保留。
除了上述寄存器以外GTX314L和GTX312L芯片还供应了更多丰富内容的寄存器，根据项目不同，可以通过上述内容和一些隐蔽寄存器办理各种滋扰引起的问题，碰着这些技能问题请来电咨询。
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