单片机直接驱动MOS管？这些风险你要理解_电流_这时刻

如果这时候用一个数字逻辑器件或者是单片机来掌握MOS管，这是个功率MOS。
假设这时候接一个负载，这时候q1可以给负载供应20安的电流。
在如此大电流的情形下，会有一些同学想到由于MOS管的栅极电流需求很小，只是一个皮安级别的电流。

那就可以用个普通的数字逻辑器件，比如它是一个五伏的这样的器件，它的输出电流是正负一毫安，这是它最大的输出电流的能力。
这样来看用一个毫安级别的输出来推动一个皮安级别的MOS管的输入完备是可以的。

但是这样子行弗成的通？我们知道一个普通的功率MOS反馈电容crss随随便便就会有300皮法，只管这时候可能旗子暗记源、旗子暗记输入频率不高，但是你想想看一个1毫安的电流来给300皮法的电容充电，这时候它的延时至少是10微秒以上。
有兴趣的同学可以自己算一下，比较大略。

这样的输入与输出的延时，你所设计的产品到底能不能接管？如果这时候数字逻辑器件的供电的电压是十伏，那么它从0到10伏之间的这一段充电的韶光可能会去到20微秒，这样的电路性能就会大打折扣，乃至在一些严格的场合里面是不能够这样用的。

同时这种普通的逻辑器件与一个功率MOS管来搭配还会有一个致命的问题，由于MOS管的寄生电容非常大，在一个特定的互换旗子暗记驱动的条件下，它的栅极电流是会动态变革的。

假设数字逻辑器件还有它的状态发生了改变，而且是在改变的过程当中，这时候的寄生电容如果有回流的电流，那么从栅极流向逻辑器件的时候就有可能破坏这个器件，以是这是个中的一种风险。

由于我们知道普通的功率的三极管，在驱动大电流的时候，比如10-20安的时候，这时候基极的驱动电流最小也须要500毫安旁边。
只管这时候它的寄生电容也不小，但是由于基极的驱动电流比较大，以是它整体的输入与输出转换的速率就会比这种功率mos要快很多。