晶圆清洗工艺_干净_晶片

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硅晶片清洁过程是半导系统编制造过程中的关键步骤。
华林科纳支持各种类型的晶圆洗濯工艺，无论您是进行研究还是大批量生产，都可以保持纯度。
华林科纳支持的清洁工艺包括RCA清洁、SC1和SC 2（标准清洁1和2）、预扩散清洁，以及包括臭氧清洁和兆声波清洁在内的其他清洁工艺。

1.晶圆洗濯的目的

晶圆清洗工艺_干净_晶片通讯

所述的目标晶片洗濯过程是在不改变或危害晶片表面或基底撤除的化学和颗粒杂质。
晶片表面必须保持不受影响，这样粗糙度、堕落或点蚀会影响晶片清洁过程的结果。
硅晶片的良率与晶片加工的毛病密度（清洁度和颗粒数）成反比。
降落毛病密度和提高产量的一种方法是利用高效的晶圆清洁工艺，以有效去除颗粒污染物。
对付更小的半导体器件和几何形状，从硅晶片上去除更小的颗粒变得更加主要。
小颗粒可能难以去除，由于在颗粒和晶片基板之间存在强劲电力。

晶圆洗濯技能

在过去的 30 年中，标准晶圆洗濯中利用的化学物质基本保持不变。
它基于利用酸性过氧化氢和氢氧化铵溶液的 RCA 清洁工艺。
虽然这是工业仍在利用的紧张方法，但最近发生的变革是它的履行以及新的优化清洁技能，包括臭氧清洁和兆声波清洁系统。

根据特定的设备类型，制造集成电路须要数百个精确的处理步骤。
大多数步骤在将它们切割成单个芯片之前作为完全晶片上的单个工艺完成。
大约 20% 的步骤是晶圆洗濯工艺，这凸显了晶圆洗濯和基板表面调节的主要性。

3.晶圆洗濯步骤

预扩散清洁

创造一个没有金属、微粒和有机污染物的表面。
在某些情形下，须要去除天然氧化物或化学氧化物

金属离子去除清洁

肃清可能对设备操作产生不利影响的金属离子

颗粒去除清洁

利用 Megasonic 清洁的化学或机器擦洗从表面去除颗粒。

蚀刻后清洁

去除蚀刻工艺后留下的光刻胶和聚合物。
去除光刻胶和固体残留物，包括“蚀刻聚合物”