共模EMI的抑制方法与设计规范_电源_芯片

对付电路上的芯片而言，芯片周围的PCB电源平面可以算作一个优秀的高频电容器，它可以接管分立电容所泄露的那部分RF能量。
此外，优秀电源层的电感较小，因此电感所合成的瞬态旗子暗记也小，从而可进一步降落共模EMI。
对付高速IC而言，数字旗子暗记的上升沿越来越快，电源层到芯片电源引脚的连接线必须尽可能短，最好直接连到芯片电源引脚所在的焊盘上。

为了抑制共模EMI，电源层要有助于去耦合具有足够低的电感，而且这个电源层必须是一个设计相称好的电源层的配对。
一个好的电源层的配对与电源的分层，层间的材料，以及事情频率（芯片上升韶光的函数）有关。
常日，电源分层的间距是6mil，夹层是FR-4材料，则每平方英寸电源层的等效电容约为75pf。
显然，层间间隔越小，电容越大。