功率半导体，又称电力电子器件或功率电子器件，是电子家当链中最核心的一类器件之一，其功能紧张是对电能进行转换，对电路进行掌握，改变电子装置中的电压和频率，直流或互换等，具有处理高电压，大电流的能力。
据数据统计，2021-2025 年环球功率器件市场将由 259 亿美元增至357 亿美元，年复合增速约为 8.4%。结合Omdia、Yole 数据，估量汽车和工控将成为2025 年功率器件最紧张市场，分别将增至142亿美元(占比 41%)和107 亿美元（占比30%）。
在过去相称长的一段韶光里，功率半导体市场一贯由欧、美、日等外资巨子牢牢霸占着主导地位，随着近年来新能源汽车的发展，许多本土企业也纷纭入局，在各细分市场发展迅速。
从当前海内功率半导体家当整体来看，我国的功率半导体以低门槛细分运用为出发点，逐步向技能实现较难的运用领域发展，并随新能源头部厂商出海逐步走向国际化。放眼市场，不论是传统Si功率器件IGBT、MOSFET，还是以SiC、GaN等为代表的第三代半导体，海内企业均有布局。
由业界领先的半导体电子信息媒体芯师爷举办的第五届“硬核芯年度活动”，汇聚了百余家中国半导体芯片家当的有名企业、潜力企业。本文精选了2023年参评的19款功率器件产品，以期为市场供应优质产品选型攻略。
以下产品排名不分先后
成都蓉矽半导体有限公司
成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年，是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开拓的高新技能企业，拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障，致力于自主开拓天下一流水平的车规级碳化硅器件。
蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列，涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET；硅基FR MOS与空想硅基二极管MCR®，运用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。
NE1M120C40HT
与台湾汉磊科技就SiC 6英寸工艺平台紧密互助，采取自对准、衬底减薄和基于窄P+型源区工艺与PWELL电场屏蔽、JFET区设计等前辈工艺制程与设计技能。
对SiC MOSFET的性能和可靠性进行综合设计，在保障高可靠性的根本上达到静态导通损耗和动态开关损耗的最佳平衡。
兼顾比导通电阻和栅氧化层电场强度，通过优化栅氧工艺、降落栅氧化层电场强度，降落结终端曲率效应等举措提高器件鲁棒性与长期可靠性。
NC1M120C12HT
NC1M120C12HT是支持耐压值1200V，导通电阻为12mΩ的高性能SiC MOSFET功率器件，驱动电压为18-20V，知足车规主驱芯片的高可靠性哀求。支持TO-247-4L、TO-247-3L以及TO-263-7L等多种封装形式，全系列产品均采取环保物料，完成了RoHS、REACH认证，获取了SGS报告，全面知足光伏、风电、汽车电子、工业电源和储能等领域的运用需求。
瑞能半导体科技株式会社
瑞能半导体，源自恩智浦，传承五十余年功率半导体领先履历。作为环球功率半导体行业的佼佼者，瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合。瑞能半导体环球运营中央坐落于上海，全资子公司和分支机构包括吉林芯片生产基地，喷鼻香港子公司，上海和英国产品及研发中央，东莞物流中央，江西南昌可靠性及失落效剖析实验室以及遍布环球12个国家和地区的发卖和客户做事点，可以为客户供应及时高效的专业做事和支持。
2023年7月，瑞能半导体全资控股的功率模块厂在上海湾区高新区正式投产，不仅生产前辈的 SCR / FRD / IGBT /SIC 模块，还将为汽车和可再生能源市场推出创新模块和封装做事，提升瑞能百口当链布局与做事的效率，为客户与互助伙伴带来更好的体验。
瑞能高压超结
MOSFET系列产品
该系列产品为650V耐压等级的超结MOSFET，FOM(Rds_onQg)因子已经达到行业领先水平，快规复体二极管可以实现软开关和H桥线路的广泛运用，提升系统设计的可靠性，优化的栅极电阻设计帮助客户在开关速率和EMI性能之间取得良好的折中。
浙江翠展微电子有限公司
浙江翠展微电子有限公司是一家车规级功率器件设计生产厂家，总部位于浙江嘉善，拥熟年产能超过100万个模块的IGBT封测线。作为一家中国本土的汽车级功率器件与仿照集成电路设计发卖公司，公司立志冲破入口垄断，实现入口替代，将翠展微电子打造成为新能源汽车半导体行业的中国品牌领军企业。
公司紧张为新能源汽车客户和工业变频客户供应IGBT模块、IGBT单管、SIC模块等产品，同时为新能源车企供应汽车底层软件做事，包括开拓工具链、电控方案等。
TPAK IGBT 模块（GCV340GT75SGT4）
TPAK IGBT 模块内置一颗IGBT与FRD，采取塑封工艺，已运用于电动汽车驱动系统。封装体积小，功率密度高，便于系统功率拓展；器件的DBC可直接与冷板集成，系统拥有更低的热阻；SiC和Si器件共用封装，便于平台化运用；器件可拓展铜带焊接，拥有更高功率密度和高功率循环寿命。
750V/275A IGBT芯片
（AG275G075AL）
该芯片采取翠展微电子MPT2 IGBT芯片技能平台，属于微沟槽FS型IGBT，针对电动汽车驱动运用特点而优化了损耗折中和175℃的最高利用结温，在正温度系数根本上进一步优化，使得该芯片易于并联利用，并有着精良的出流能力和利用寿命。同时，兼顾了运用处景对dv/dt、最高电压过冲性能等哀求，担保了产品的易拓展性。
绍兴澎芯半导体有限公司
澎芯半导体是一家专注于碳化硅（SiC）功率半导体器件研发的设计公司，已与国内外多家专业从事SiC功率器件业务的企业互助完成晶圆制造、芯片封装等。
澎芯半导体致力于成为环球碳化硅(SiC)功率半导体领域的引领者，公司团队核心成员均来自国内外顶尖半导体公司，在传统Si功率半导体器件研发和生产工艺领域有着三十年以上的从业履历，在SiC功率半导体研发也已深耕八年之久，是海内较早从事SiC功率器件研发和生产的团队，具有丰富的SiC功率器件研发设计、晶圆工艺和系统运用等成熟的履历。
P1M40120K
（1200V 40mΩ）
产品P1M40120K晶圆流片和封装测试均由车规级制造平台完成，门极驱动电压推举Vgs_on为+15V/+18V兼容，封装形式包括四种：TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL，产品性能参数分布同等性较高，达到业内领先水平，已广泛运用于OBC、充电桩、光伏逆变器、通信电源、储能系统等工控和车规领域。
P1M80120K
（1200V 80mΩ）
产品P1M80120K晶圆流片和封装测试均由车规级制造平台完成，门极驱动电压推举Vgs_on为+15V/+18V兼容，封装形式包括四种：TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7，产品性能参数分布同等性较高，达到业内领先水平，已广泛运用于OBC、充电桩、光伏逆变器、通信电源、储能系统等工控和车规领域。
深圳市晶扬电子有限公司
深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年，国家高新技能企业、国家专精特新“小巨人”科技企业，深圳有名品牌，广东省制造业单项冠军产品。多年专业从事IC设计、生产、发卖及系统集成的IC DESIGN HOUSE，分别在加拿大和成都设立有研发中央。并控股多家全资子公司和控股公司，拥有近百项有效专利和知识产权，业内著名的“电路与系统保护专家” 。主营产品：ESD、TVS、MOS管、DC-DC,LDO系列、霍尔传感器，高精度运放芯片，汽车音频功放芯片等。产品运用于：电脑/条记本、机顶盒、电视、网络通信、手机、平板终端、智能穿着、安防监控、家电、工控、新能源汽车、车载、TWS、电子烟、电动工具等。
超小封装低电容NFC接口
静电防护芯片 TT1801SZ
TT1801SZ可用于NFC接口的静电防护，采取目前前辈的芯片级CSP(Chip Scale Package)封装，寄生电容低至0.16pF，有效避免NFC通信旗子暗记受到滋扰；同时TT1801SZ为深回滞产品，低容值，低钳位电压，知足目前前辈的半导体工艺制程的电子产品对付静电防护芯片钳位电压要足够低的哀求。该产品广泛运用于手机、平板、手环等轻薄小巧的携带式产品。
多通道HDMI接口高压
大浪涌防护芯片TS0304VL
TS0304VL芯片面积小，且兼具有4通道防护能力，适用于具有多传输通道接口，具有较高的抗ESD、抗大浪涌电流的能力；广泛运用于消费家电领域、工业掌握领域、通讯领域、智能交通等领域。
泰科天润半导体科技（北京）有限公司
泰科天润半导体科技（北京）有限公司成立于2011年，是中国碳化硅（SiC）功率器件家当化的倡导者之一，致力于中国半导体功率器件制造家当的发展，并供应优质的半导体功率器件产品和专业做事。总部坐落于北京，拥有湖南一条年产6万片/6英寸SiC半导体晶圆生产线，2023年底扩产至年产10万片。公司2023年年初北京8寸线动工，估量2025年实现年产10万片/8英寸SiC半导体晶圆。公司在上海、深圳设有办事处，外洋均有代理渠道供应做事支持。
泰科天润是IDM模式的企业，拥有10年碳化硅器件量产履历，集研发、制造、运用为一体，已通过IATF16949体系认证。基于自有晶圆厂，泰科天润开拓出前辈特色工艺，并向市场推出了丰富的碳化硅器件产品，性能达到国际领先水平。同时，公司建有可靠性实验室、器件评估实验室、失落效剖析实验室、系统运用实验室，为向客户供应优质产品供应有力保障。
G51XT
泰科天润优化了器件设计和生产工艺，创始史上最小碳化硅功率器件G51XT（650V1A），采取SOD123封装。该产品可运用于高频ACF，小功率GaN适配器，驱动部分自举电路，高频DC/DC电路等运用处所。曾获“中国IC设计造诣奖”提名。
杭州士兰微电子株式会社
杭州士兰微电子株式会社坐落于杭州高新技能家当开拓区，是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子干系产品生产的高新技能企业。公司成立于1997年9月，总部在中国杭州。2003年3月公司股票在上海证券交易所挂牌交易，是第一家在中国境内上市的集成电路芯片设计企业。2022年业务总收入为82.82亿元，公司总资产达到RMB 169亿元。截至2022年年底，已申请海内专利1700余项、境外专利40余项目，2022年新增自主专利180余项。
得益于中国电子信息家当的飞速发展，公司从集成电路设计业务开始，逐步搭建特色工艺的芯片制造平台，产线覆盖5/6/8/12吋，已成为海内最具规模的集成电路芯片设计与制造一体（IDM）的企业之一。公司的技能与产品涵盖了浩瀚领域，在多个技能领域保持了海内领先的地位，如绿色电源芯片技能、MEMS传感器技能、LED照明和屏显技能、高压智能功率模块技能、第三代功率半导体器件技能、数字音视频技能等。同时利用公司在多个芯片设计领域的积累，为客户供应针对性的芯片产品系列和系统性的运用办理方案。
士兰1200V 13.5mΩ SiC
MOSFET芯片3VC5141K2YH
士兰基于自主工艺打造的3VC5141K2YH是一款1200V、13.5mΩ平面型碳化硅芯片，具有低比导通电阻和精良的温度特性，动静态性能比肩国际顶级厂商。优化的栅氧特性和短路特性提升了芯片的可靠性。该芯片已通过完全的可靠性测试，并达到量产水平，特殊适用于主驱逆变器中高电流输出能力和高功率密度运用，并知足高可靠性需求。
士兰
SSM1R7PB12B3DTFM系列
SSM1R7PB12B3DTFM是士兰基于自主研发的SiC MOS芯片技能开拓的六单元拓扑模块。该模块适用于纯电动汽车等运用，具有高阻断电压、低导通电阻和高电流密度等特性。芯片方面优化完成低界面态密度和高沟道迁移率的SiC/SiO2氧化工艺研发，单芯片导通电阻达到乃至优于国外同级别器件水平；封装方面占领纳米银烧结、铜线键合技能并实现量产。
派恩杰半导体
派恩杰半导体成立于2018年9月，是中国第三代半导体功率器件的领先品牌，主营碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓HEMT等功率器件产品。公司拥有海内最全碳化硅功率器件产品目录，碳化硅MOSFET与碳化硅SBD产品覆盖各个电压等级与载流能力，并且均通过AEC-Q101车规级测试认证。可以知足客户的各种运用处景，为客户供应稳定可靠的车规级碳化硅功率器件产品。
派恩杰半导体拥有深厚的技能秘闻和全面的家当链上风，创始人黄兴博士于2009年起深耕于碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发，师承IGBT发明人B. Jayant Baliga教授和ETO晶闸管发明人Alex Q. Huang教授。目前，派恩杰半导体在650V、1200V、1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业运用等领域广泛利用，为各个运用领域头部客户持续稳定供货，且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。
P3M12040K4
P3M12040K4具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on），HDFM值由于行业均匀水平，综合损耗更低，使整机效率更高。使其广泛运用于工业电机驱动，光伏，直流充电桩，储能变换器以及UPS等领域。
P3M12040K4是一款1200V、40mohm、TO247-4封装的碳化硅MOSFET分立器件，其参数与性能对标国际有名品牌产品，个中功率器件关键参数HDFM值优于行业均匀水平50%以上，显示出精良的综合性能。紧张运用于新能源汽车、大功率直流充电桩、光伏风电新能源、工控等领域，个中在多家汽车龙头企业及tier 1的OBC项目上通过测试验证并开始大批量供货。
P3M12017K4
P3M12017K4具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on），HDFM值由于行业均匀水平，综合损耗更低，使整机效率更高。广泛运用于新能源汽车的主驱逆变器。
P3M12017K4是一款1200V、17mohm、TO247-4封装的碳化硅MOSFET分立器件，其参数与性能对标国际有名品牌产品，个中功率器件关键参数HDFM值优于行业均匀水平50%以上，显示出精良的综合性能，紧张运用于新能源汽车、大功率直流充电桩、光伏风电新能源、工控等领域，个中在多家汽车龙头企业及tier 1的主驱逆变器系统开始测试验证。
比亚迪半导体株式会社
比亚迪半导体株式会社成立于2004年10月，是海内领先的高效、智能、集成新型半导体企业。紧张从事功率半导体、智能掌握IC、智能传感器、光电半导体、制造及做事，覆盖了对电、光、磁等旗子暗记的感应、处理及掌握，产品市场运用前景广阔。公司以车规级半导体为核心，产品已基本覆盖新能源汽车核心运用领域，同步推动工业、家电、新能源、消费电子等领域的半导体业务发展。
自2005年景立功率半导体团队以来，比亚迪半导体依托海内新能源汽车家当的飞速发展，凭借前辈的技能、精良的品质、领先的市场份额，成为海内领先的车用功率器件IDM企业。其自主研发的IGBT模块在中国新能源乘用车电机驱动掌握器用海内厂商排名第一；在SiC器件领域，公司于2020年取得技能打破，已实现SiC模块在新能源汽车高端车型电机驱动掌握器中的规模化运用，也是环球首家、海内唯一实现SiC三相全桥模块在电机驱动掌握器中大批量装车的功率半导体供应商。同时比亚迪半导体也是环球首家、海内唯一实现SiC三相全桥模块在电机驱动掌握器中大批量装车的厂商。
比亚迪半导体作为海内领先的车规级半导体整体方案供应商，秉承技能为王、创新为本，矢志为广大客户供应高效、智能、集成的新型半导体产品。同时，比亚迪半导体拥有完全的家当链构造、前辈的技能以及整车的运用平台，保持着快速发展的态势，致力于帮忙建立我国车规级半导体家当的创新生态，实现我国车规级半导体家当的自主安全可控和全面快速发展。
IGBT6.0芯片
G120V150SS12
本产品采取了国际领先的深亚微米风雅化沟槽栅技能，实现了极低的饱和电压；在背面缓冲层引入了分外的三维杂质分布，得到了优化的开关损耗折衷特性和极好的关断软度；电流密度提升30%，综合功耗降落10%，带来了更高的功率输出，可兼顾更紧凑的模块封装。
目前已大批量运用于新能源汽车及部分海内新势力，产能稳定可靠，可供应专业高效的运用支持，办理客户的后顾之忧。
华润微电子有限公司
华润微电子有限公司是中国本土领先的以 IDM 模式为主经营的半导体企业，同时也是中国最大的功率器件企业之一。在功率半导体领域，公司多项产品的性能、工艺居于海内领先地位，与国外厂商差距不断缩小，国产化进程正加速进行。
紧张产品包括以 MOSFET、IGBT 为代表的功率半导体产品和以光电传感器、烟报传感器、MEMS 传感器为主的智能传感器以及 MCU 等。根据 Omdia 的统计，2022年度以发卖额计，公司在中国 MOSFET 市场中排名第一，仅次于英飞凌和安森美，是中国本土最大的 MOSFET 厂商。
650V/900V
硅基氮化镓（GaN）
产品采取级联型、增强型的技能路径，涉及6吋和8吋的晶圆，具有高可靠性、兼容常规驱动、国产化率第一流上风；在产品家当化的过程中，打破外延设计、器件设计、芯片制造、封装优化、可靠性标准、运用测试等六大技能难点。
外延材料耐压表现精良，外延良率> 95%,达到业界较高水平；晶圆良率达到97%，Fab均匀良率大于95%，知足家当化哀求；在芯片和封装、高压加速寿命、高温开关运用测试、市场运用四个层次具备可靠性。
无锡新洁能株式会社
新洁能成立于2013年1月，拥有电基集成、国硅集成、金兰功率半导体、新洁能喷鼻香港四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。公司成立以来即专注于中高端IGBT、MOSFET和集成功率器件的研发、设计及发卖，产品优质且系列完好，广泛运用于新能源汽车及充电桩、光伏储能、算力做事器和数据中央、工控自动化、消费电子、5G通讯、机器人、智能家居等领域。
新洁能率先在8英寸、12英寸工艺平台量产沟槽型功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET及IGBT。公司拥有车规级功率器件、IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET、碳化硅功率MOSFET、氮化镓功率HEMT、功率模块、栅极驱动IC、电源管理IC十大产品平台，与国际一流代工厂长年紧密互助，持续稳定供应高性能、高质量、高可靠性的“硅基、化合物”功率器件、集成电路及模块产品。目前公司产品电压已经覆盖了12V~1700V的全系列产品，为海内功率器件市场霸占率排名前列的本土企业。
NCE75TD120VTP
NCE75TD120VTP采取超薄芯片技能，高密度沟槽栅场截止设计，并增加了载流子贮存构造和优化的背面缓冲层设计，具有饱和压降小，关断损耗低的上风；此外，产品利用优化的终端保护构造设计和钝化工艺，使产品可以通过同时高温、高压、高湿度的严苛的可靠性考察。产品已在新能源、工业掌握等行业的主流厂商批量利用。
NCEAP40P80K
车规功率芯片NCEAP40P80K采取了屏蔽栅深沟槽技能，基于电荷平衡理论，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降落了器件的特色导通电阻和栅极电荷。产品采取车规级设计、制作和管控，广泛用于新能源汽车的域控邻域，如电动尾门、车窗、电动座椅等，同时还可用于防反接、模块电源开关、小功率电机驱动等运用领域。
深圳市杰盛微半导体有限公司
深圳市杰盛微半导体有限公司是由业内资深专家海归博士团队创立的高科技公司，总部在西安市高新区锦业路125号西安半导体家当园，专业生产霍尔磁性传感器SOC芯片、仿照驱动IC、电源管理芯片(AC-DC/DC-DC)、MOSFETS场效应、二三极管、晶体管、单双三四象可控硅等产品。
杰盛微半导体是业内能供应最全面的产品与办理方案的企业之一，产品种类覆盖50多种封装形式和10000多种型号。公司拥有完全的自主研发体系并节制多项海内领先的关键核心技能，研制开拓了各种磁开关系列芯片，磁速率、方向传感器芯片，线性传感器芯片和磁编码器芯片等产品。
杰盛微
IRS2113STRPBF
JSM2113S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采取高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高、低侧传输通道。产品可以适用多种运用处景。覆盖通用逆变器，互换和直流电源中的半桥和全桥转换器；也可以用于做事器、电信、IT和工业根本举动步伐的高密度开关电源；太阳能逆变器、电机驱动器和UPS等。
