SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成：8Gb容量、功耗削减15%_工艺_芯片

该芯片最高支持3200Mbps，即3200MHz频率，号称可以供应最佳的性能和容量密度。

技能指标方面，相较于1Xnm，1Ynm芯片的生产率提高了20%，功耗降落了15%。

SK海力士还表示，新的1Ynm芯片还显著提高了传感器精准度、调度了晶体管构造，使得数据传输的出错率降落。

官方称，1Ynm DDR4 DRAM芯片将于明年一季度出货，率先用于做事器和PC产品上，末了向手机等领域推广。

科普：

在存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后，厂商对工艺的描述已经不再利用详细的数字了，20nm之后是1x nm工艺，再今后则是1y nm工艺，还有1z nm工艺的说法，至于XYZ详细的含义，由于每家公司的工艺并不一样，以是短缺详细的阐明。