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2Tb / s 硅基 3D 集成光发射芯粒 图源：NOEIC
2Tb / s 硅基 3D 集成光吸收芯粒 图源：NOEIC该团队在 2021 年 1.6T 硅光互连芯片的根本上，进一步打破了光电协同设计仿真方法，研制出硅光配套的单路超 200G driver 和 TIA 芯片，并占领了硅基光电三维堆叠封装工艺技能，形成了一整套基于硅光芯片的 3D 芯粒集成方案。
硅光互连芯粒的侧向显微镜构造 图源：NOEIC
经系统传输测试，8 个通道不才一代光模块标准的 224Gb / s PAM4 光旗子暗记速率下，TDECQ 均在 2dB 以内。通过进一步链路均衡，最高可支持速率达 8×256Gb / s，单片单向互连带宽高达 2Tb / s。
（图片来自网络侵删）
8×224Gb / s 硅基光发射芯粒输出眼图 图源：NOEIC
成果将广泛运用于下一代算力系统和数据中央所需的 CPO、NPO、LPO、LRO 等各种光模块产品中，为海内信息光电子技能的率先突围探索出可行路径。
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标签：互连
