在传统以及准谐振反豪情势运用中，由于MOS导通时的电压较高（基本都在150V以上），特殊是高压的输入条件下，会有较高的开关损耗及DI/Dt造成的EMI滋扰，影响系统效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的涌现，很好的办理了这些痛点。
说到ZVS（零电压开关技能）反激，相信大家并不陌生，早在2018年，华为在mate20发布会上推出的40W SuperCharge超级快充充电器，就采取了英飞凌ZVS反激快充方案，这也是ZVS反激的首次商用，该方案具有小体积、大功率、高效率等特点，有效的提高了产品效率及功率密度，因而在华为旗舰机标配超级快充中一贯被沿用。
而作为一家海内领先的仿照IC设计公司，亚成微电子于近期成功推出了海内首款ZVS反激式开关电源芯片RM6801S，补充了海内空缺。RM6801S是一款高性能高可靠性电流掌握型PWM开关掌握芯片，内置700V高压启动，X-cap放电，可调互换输入Brown in/out等功能，事情频率高达130Khz，全电压范围内待机功耗小于65mW，知足六级能效标准，并且支持CCM/QR稠浊模式以及拥有完备的各种保护功能，专有ZVS技能降落MOSFET开关损耗，改进EMI特性。采取分段驱动技能，搭配超结MOSFET（CoolMOS），并兼容直驱E-MODE GaN功率器件版本，提高产品效率及功率密度，简化EMI滤波电路设计，降落EMI器件本钱，完美运用于大功率快速充电器。
亚成微电子是一家专注于高速功率集成技能的高端仿照IC设计公司，2014年1月在新三板挂牌（股票代码430552）。拥有由海归博士领衔的海内一流研发团队，自主研发的产品已得到国家专利55项，国际专利2项，另有50余项专利正在受理中，个中包含国际专利3项。
紧张产品包括为5G通信设备供应关键的核心芯片ET- PA；物联网终端及可穿着设备用的高功率密度DC-DC电源芯片（MHz）；LED驱动芯片和AC-DC电源管理芯片，在USB PD快充领域，亚成微致力于为客户供应高功率密度快充办理方案，目前已推出了采取新一代PWM掌握技能（自供电双绕组架构）的低级主控芯片RM6715S、RM6717S以及内置coolMOS的QR方案RM6514S、RM6517D。同时又配套推出了内置SGT MOS的次级同步整流芯片RM3405SH、RM3412SH和RM3413SH。
