高特RB0540D1作为一款0.5A 40V的DFN1006 LOW VF肖特基二极管,其正引导通电压在50mA的事情电流下仅为0.28V,功率损耗仅为0.014W,在0.5A的事情电流下也仅为0.46V,这在同等封装中是非常少有的。
高特RB0540D1的详细资料

采取SOD、SMx(F)为主的肖特基二极管的元器件体积偏大,会增加PCB板面积同时带来一定的产品设计压力,且功耗不低。而小尺寸VF的肖特二极管不仅在体积上占优,还在功耗上存在上风。

高特微形超低VF肖特基二极管RB0540D1采取了DFN1006微形封装形状,形状尺寸仅为1.00.60.5毫米,较业界常用SOD-523封装的同类产品节省约66%的电路板空间,更比SOD-523封装的同类产品纤薄25%,在离板高度上占尽上风。
三、可靠性VF肖特基二极管是比普通肖特基二极管压降还要低的一种半导体器件,压降落带来的好处是更低的电源损耗和更高的电源转换率,比较普通肖特基二极管,VF肖特基二极管有着更稳定、更可靠的上风。
高特微形超低VF肖特基二极管RB0540D1采取了前辈的芯片工艺,作为一款40V的肖特二极管,其正引导通电压在50mA的事情电流下仅为0.28V,功率损耗仅为0.014W,可谓小而精。
充电头网总结现在的电子产品紧跟科技的脚步,如智能穿着设备、移动设备、移动电源等设备的发展,随着科技的脚步发展而越小巧精密,科技产品设备开始追求微形纤薄且长续航能力(低功耗),以是产品的每个电子元件都要考虑功耗、体积、可靠性。考虑到电路、电源的逆向保护,高特推出微形超低VF肖特基二极管RB0540D1,完美适配以上哀求,成为电子工程师的首选之一,助力科技的脚步迈向更远的未来。








