iPhone11被指在摄像头和开机键临近发烧严重_基带_系列

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有媒体认为，iPhone 11系列的A13仿生芯片以及主板设计问题导致了过热征象。
iPhone 11 采取的是仿生A13 处理器，虽然较上一代处理器性能提升了20%，但发热量也随之上升。
iPhone 11系列采取的双层主板设计也不利于散热，双层主板的内部构造比较紧凑而导致散热空间不敷，该设计使其自身的散热性存在“天然不敷”。

苹果第三方维修做事商GeekBar表示，iPhone 11处于部分场景下会温度明显升高。
比如，在激活、导入导出数据时会发热；永劫光相机拍照时会变得温热；而在其他场景下没有温度过高的表现。

另据媒体表示，iPhone 11摄像头附近发热，是由于拍照预览同时启动了三颗摄像头的准备事情，导致CPU负荷加大。

此外，旗子暗记问题同样是iPhone 11系列的软肋之一，虽然苹果公司与高通正式和解，但iPhone 11系列仍搭载的是英特尔XMM7660基带芯片。
该基带比较去年iPhone XS系列搭载的旧款在性能方面略有提升，但性能却依然弱于高通基带。
因此，iPhone 11系列还是没有能够办理旗子暗记弱的问题。

（综合自北京青年报、金融界、快科技）