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相对介电常数、绝对介电常数、介电常数三者的联系与差异？
ε--Permittivity=介电常数 =电容率
εo--absolute permittivity=真空介电常数=真空电容率=绝对介电常数
（图片来自网络侵删）
εr--相对介电常数
实在看到介电常数的公式时很随意马虎遐想到磁导率和真空磁导率的关系。
那么他们之间是否也有联系呢？
答案是 yes
个中，c是光波在真空中的光速，u0是真空磁导率。个中，真空磁导率的定义值为
部分物体的相对介电常数
多片电容
对付单个平行板电容器，n – 1 = 2 – 1即是1，由于C = (εoεrx 1 x A)/d完备等同于：C = (εoεr A)/d是上面的标准方程。这里n为平行板的数量。
假设我们有如图所示的9层极板的电容，那么其电容量为：
当代电容器可根据其绝缘电介质的特性和性子进行分类：
低损耗、高稳定性，如云母、低 K 陶瓷、聚苯乙烯。介质损耗、介质稳定性，如纸张、塑料薄膜、高介电陶瓷。极化电容器，例如电解电容器、钽电容器。电容器可用于许多不同的运用和电路，例如在通报音频旗子暗记、脉冲或互换电或其他时变波形时阻断直流电流。这种阻挡直流电流的能力使电容器能够用于平滑电源的输出电压，以肃清旗子暗记中不须要的尖峰，否则会导致半导体或数字组件破坏或误触发。
当用于直流电源时，电容用具有无穷大阻抗（开路），在非常高的频率下，电容用具有零阻抗（短路）。所有电容器都有最大事情直流电压额定值 (WVDC)，因此建议选择额定电压至少比电源电压高 50% 的电容器。
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