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同步与非同步电源芯片的差异与优缺点_电流_芯片

admin 2024-12-24 13:49:52 0

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1. 架构差异

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详细表现为一个为MOS管,一个为二极管。

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(图片来自网络侵删)

2. 剖析

电源实际输出的电流由两部分组成

1).S1导通的时候,由VIN通过S1,再经由电感到输出。

2)S1闭合时候,由地经由二极管D1或者mos管S2,再经由电感输出。

导通损耗剖析:

1. 在大电流的时候,假设电流为2A,MOS管导通电阻小,假设MOS管导通电阻为80m欧,P=IIR=2280=320毫瓦;而肖特基二极管在0.4V~0.7V(电流大小差异),P=UI=0.52=1W;故在大电流的时候同步整流的效率要高于非同步整流。

2. 小电流的时候,由于二极管具有单引导通,而MOS管双引导通,故MOS管具有双引导通损耗,以是一样平常情形下,非同步的效率反而高于同步整流,但是小电流时候,非同步单引导通二级股由于不连续性,每每会产生振铃,故同步整流纹波效果好于非同步芯片

价格:同步芯片贵,非同步芯片便宜。

大家在选择DC/DC芯片的时候该当更清楚怎么选了吧。

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