由于5G的涌现，物联网生活逐步逼近，芯片的主要性再次被提高，而在5G通信领域我国遥遥领先。因此，自2020年开始，华为便被老美在芯片上全面封锁，之后封锁范围陆续扩展，如今芯片行业已经成为限定中国发展的最大阻力之一。
各界也彻底意识到了芯片及其他技能的独立自主性，真正看重起来，并投入大量精力，中国芯成功提速，在一两年的韶光内，便走了其他国家花费几年乃至是十几年的路程。前段韶光龙芯项目组在芯片架构上彻底打破老美垄断，进而实现完备自主化，芯片从根本上不再依赖他国，让中国芯在真正意义上迈出了第一步。而最近，“中国芯”好一个接一个，关键材料得到打破，冲破国外垄断。
好，芯片制造中3个关键环节，冲破垄断。首先是蚀刻金属引线框架的打破。引线框架作为芯片的基本载体，是实现芯片电路内部引出端和外引线的电气连接而形成回路的关键构造，而其功能的实现则紧张依赖于金属合成材料。因此，蚀刻金属引线被视为是构建集成电路的核心材料，对付芯片实现完备自主化有着重大意义。此前我国在蚀刻金属引线框架方面基本上全部依赖国外入口，而且制造的关键技能都节制在外国企业中，早已经被其申请专利，很难绕过去。这实在也是大部分原材料及干系技能难以占领的缘故原由，要完备自主就要避开他们谈何随意马虎。不过在蚀刻金属引线框架上，淄博新恒汇电子通过全新思路绕开了国外的技能拦截。
2019年，淄博新恒汇电子投入6000万元专门对蚀刻金属引线框架进行研发。经由两年的韶光，新恒汇创造了激光模式的蚀刻金属引线框架，并且实验成功，有望实现量产从而成功代替原有工艺。在此之前，既有的蚀刻金属引线框架都是采取光折射模式，相对而言效率相对较为低下。可以说淄博新恒汇电子不仅实现了打破，更是通过创新让蚀刻金属引线框架技能更上一层楼，从而帮助中国成功打破技能垄断，乃至直接成为了领先。并且根据淄博新恒汇当下的生产实验来看，利用激光技能创建的蚀刻金属引线框架每年都可供应1亿条，而这就霸占了环球10%的产能，可见其成功性。
此外，光刻机领域方面我们也取得了重大造诣。光刻胶作为半导体行业的核心原材料，没有它就无法利用光刻机将芯片生产出来。而在光刻胶市场上，始终被老美、德国和日本三国所掌控，霸占80%的市场，成为当下严重限定中国芯发展的难题。面对这种情形，2019年我国正式在滨州培植家当园区，而当下即将正式全面投入利用之中，光刻胶方面也得到了不小的打破。不过随着家当园区建成后将各企业联合在一起，未来的彻底打破指日可待。
同时，前不久有称台积电在1nm工艺芯片技能上取得了巨大造诣。不过这是在和老美互助下取得的，个中他们在对1nm工艺芯片解析时创造，打破的关键在于电极，而1nm芯片电极的紧张材料则是铋。但铋的环球分布中，我国拥有最高的储蓄量。虽然这不是在材料上的占领，但天然的上风也表明环球芯片行业根本离不开中国，纵然目前我国尚未打破芯片制造技能，但也在材料上有可能牢牢地进行了把握。这也从侧面解释，我国当下须要完善的是既有芯片制造工艺，一旦成功自主化，那么未来对付高端芯片的占领，将省下更多的功夫，至少在关键材料上不用过于费心了。
当然在芯片的生产制造中还须要很多原材料和技能，个中也有不少核心所在，是制约中国半导体发展的紧张困难。蚀刻金属引线框架、光刻胶，乃至更早的光源等一系列的打破，固然值得我们骄傲，但绝不能因此而自大，中国芯还有很长的一段路要走。不过随着越来越多的家当园区的建成，各研究中央、科研机构、企业能够借此将力量更好地搜集在一起，也给了我们不少的信心，终极的成功也必将属于中国。
