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拿光刻胶来说，分为5种，分别是g线、i线、KrF、ArF、EUV。个中g线、i线紧张用于250nm以上工艺，海内的自给率约为20%。
KrF一样平常用于250nm-130nm工艺，海内的自给率约为5%，ArF一样平常用于130nm-14nm，2021年之前海内就无法生产，紧张靠入口，至于EUV光刻胶紧张用于7nm及以下工艺，就更加不用说了，完备靠入口。
不过从去年开始，海内几大光刻胶厂商在光刻胶上面有了较大的进步，已经研发出了ArF光刻胶，比如南大光电等，去年下半年时表示已经用于50nm制程的存储芯片上，通过了客户验证。
（图片来自网络侵删）
而近日，南大光电表示，旗下用于90nm-28nm制程的ArF光刻胶已分别通过存储芯片制造和逻辑芯片制造企业验证。
意思是其研发的ArF光刻胶，已经可以用于最高工艺为28nm的存储芯片和逻辑芯片了，毕竟验证通过后，就可以出货给客户了。
南大光电乃至表示，个中一家客户从去年8月份起，就一贯正常购买公司的光刻胶产品，只是由于是客制化产品，暂未形成规模发卖。
对此，不知道大家怎么看？光刻胶作为芯片制造中必不可少的材料，用量虽然少，但非常主要，没有其它替代品，之前一贯被日本厂商垄断着，韩首都曾被卡住了脖子。
如今中国厂商能够推出用于28nm的ArF光刻胶，真的是一个重大进步，相信接下来连续推进，达到14nm也不会太难了。
也希望全体国产半导体家当链，也能够像光刻胶一样，前辈推进到28nm，再推进到14nm，那样也就没有太多担心的了，毕竟搞定14nm，就能够生产环球至少80%的芯片了。
