速度瞬秒三星！闪迪宣告旗下首款UFS2.1闪存_速度_闪存

根据闪迪的官方先容，这两款芯片都采取了闪迪的64层3D堆叠技能，个中型号为iNAND 8521为UFS2.1闪存，而iNAND 7550则是eMMC闪存。
iNAND 8521的连续读取速率超过800MB/s，写入速率超过500MB/S，随机读取速率则是比上一代的iNAND 7232快了10倍。
随机读取速率高达50K IOPs，写入45K IOPs。

iNAND 7550的连续写入速率260MB/S。
闪迪表示这两款芯片都已经交付工厂进行样品生产，两者的最高容量版本为256GB。

巧合的是，在同一天，三星官方也宣告旗下的512GB eUFS2.1闪存已经进入了量产阶段。
比较之下，三星的这个512GB闪存在性能上要比闪迪本日公布的弱一些，三星表示，这个512GB eUFS闪存的速率是此前48层V-NAND 256GB eUFS的两倍之多，它的顺序读取速率为860MB/S，顺序写入速率为255MB/S，随机4K读取速率为42,000 IOPS，随机4K写入速率为40,000 IOPS。