三星将于本月开始分娩290层3D NAND芯片明年将开始分娩430层芯片_芯片_闪存

图片来源： 三星

三星的第 9 代 290 层 3D V-NAND 芯片将采取双堆叠技能生产，三星于 2020 岁首年月次运用于生产第 7 代 176 层 3D NAND 芯片。
该方法涉及在直径为 300 毫米的硅晶圆上创建一组 3D NAND 芯片，然后将两个这样的晶圆相互叠加并焊接，然后切成单独的芯片，即双堆叠。

过去，半导体行业一贯有传言称，由于双层方法的技能限定，生产约300层的NAND闪存芯片须要将三个晶圆堆叠在一起。
然而，据宣布，三星已经完善了双堆叠工艺，现在将用它光降盆 290-300 层 NAND 存储器。

明年下半年，该公司将转向生产具有430层的第10代3D V-NAND闪存。
正是在这里，将开始运用三个板块相互堆叠，韩国出版物援引研究公司Tech Insights的数据写道。
如前所述，制造商将跳过 300 层以上 NAND 存储芯片的发布，并立即转向生产 430 层芯片。

三星的竞争对手也没有闲着。
从明年年初开始，SK海力士将开始量产321层NAND闪存芯片，但为此它将用芯片“焊接”三块板。
目前生产232层NAND存储器的中海内存制造商长江存储操持在今年下半年开始生产300层存储芯片。