这次反制方法是在海内弱势半导体家当链，而且还是终端存储芯片产品，是不是表明在存储芯片领域，海内有能力担保自身供应链的稳定与发展，从而让监管层有信心提升安全成分权重。
家当跃迁与技能迭代
据美国半导体协会统计，2022年半导体行业发卖额为5740亿美元，存储芯片发卖额为1298亿元，占比22.61%，而这还是干系存储产品贬价后的结果，可以看得出来，存储芯片霸占半导体家当链四分之一旁边的市场份额，在半导体所有子赛道中，仅次于逻辑芯片。
存储器品类繁多，分为光学存储器（DVD、CD）、半导体存储器、磁性存储器（磁带、机器硬盘等），由于光学、磁性存储器容量小、速率慢等缺陷影响，已经逐渐被市场淘汰，现在主流的存储行业中以半导体存储器为主。如图表1所示，半导体存储器根据断电后是否丢失数据，分为易失落型存储和非易失落型存储，个中，易失落型存储有SRAM（静态随机存取存储器）、DRAM（动态随机存取存储器）、FRAM（铁电存储器）等，非易失落型存储有FLASH（闪存，可分为NOR、NAND两种种别）、EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）、PROM（可编程只读存储器）等。
1950年附近，美国半导体家当在环球拥有着先发上风，英特尔、德州仪器、美光为代表的美国企业在存储芯片掌控着主导地位，随后，日本举国之力占领干系技能，在本钱和性能方面开始领先美国厂商，导致在上世纪80年代开始，存储芯片行业逐步向日本转移，NEC、日立、富士通为代表的日企开始崛起，上世纪末，日本经济泡沫严重，同期韩国开始加大存储芯片行业的成本投入，存储家当开始向韩国转移，铸就三星、SK海力士等韩企辉煌时候，此外，中国台湾地区以分外代工模式也抢占了一部分市场份额。
在存储芯片家当每一次跃迁中，均可创造“举国系统编制”的身影，如今，中国同样举全国之力发展存储芯片家当，在新一轮家当转移中，有望复刻跃迁历史。
当下，在存储芯片小众赛道上，海内的技能上风及市场份额均处于环球前列位置。比如，NOR FLASH领域，兆易创新（603986.SH）环球排名第三，干系产品容量多达16种，涵盖512KB至2GB，其工艺制程为55nm。EEPROM领域，聚辰股份（688123.SH）干系产品在智好手机摄像头、液晶面板、打算机及周边等细分领域里拥有领先上风，正逐步切入工业掌握、通讯、汽车级EEPROM竞争领域，据测算，环球市占率在前三位置。SRAM领域，北京君正（300223.SZ）通过收购和自身持续研发，同样在该领域里建立了技能上风，据Omdia统计，2022年公司SRAM产品收入在环球市场中位居第二位。
存储芯片小众赛道目前海内已经奠定了第三次家当转移格局，然而，这些小众赛道合计收入才霸占了全体存储芯片行业收入3%旁边，余下的基本由DRAM和NAND Flash两个大赛道产品瓜分了，那么，在主流的存储市场中，中国企业又呈现若何的市场格局？
● 主流存储市场一：DRAM
当代打算机体系中，DRAM属于二级存储，根据运用处景不同，DRAM可分为DDR、LPDDR和GDDR三个系列，个中DDR紧张利用在电脑、做事器领域，量产产品已经迭代至14nm DDR5，单个内存条容量可达64GB。LPDDR紧张利用在智好手机上，比较DDR，该产品在功耗、尺寸、低电压等方面做出了更大优化，量产产品已经迭代至LPDDR5X，GDDR则紧张利用在专业图形运用程序上，目前迭代至GDDR6。根据statsta数据，环球DRAM主流市场险些由三星、SK海力士和美光所垄断，其合计市场霸占率超95%，海内干系厂商正奋起直追，合肥长鑫已经能够量产17nm DRAM，但间隔国际厂商还存在一定技能差距。在掉队产能方面，随着国际厂商第二、三代产能的退出，海内干系DRAM产品份额将缓慢提升。
其余，人工智能、超级打算机的快速发展也促进了DRAM技能的升级，在高算力需求带动下，DRAM衍生出的HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）技能深受市场追捧，这是一种将多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起的新技能，有效冲破二、三级之间“存储墙”制约，能够实现大容量，高位宽的DDR组合阵列，韩国的SK海力士与三星公司是该领域里的领军企业，目前技能已经迭代至HBM3，而海内企业在该领域的布局仍旧处于空缺阶段。
● 主流存储市场二：NAND Flash
由于低本钱、大容量、较优的相应速率等特性影响、NAND Flash成为了当下非易失落型存储的主流办理方案。根据闪存颗粒存储密度不同，NAND Flash又可分为SLC、MLC、TLC和QLC四大类，从左往右比拟，其单位存储容量快速扩大，但相应的利用寿命也在持续减少，因此，对可靠性、稳定性及耐用性有较高的行业，比如航天航空、军工、通信等领域会利用SLC类闪存，而日常消费级产品一样平常利用的是TCL类闪存，今后随着技能升级，将迭代至QLC类闪存。
在上述技能根本下，为了实现更高容量、性能和更低功耗，半导体厂商都是往着更前辈制程工艺迭代发展，力求在同样面积下装下更多根本单位容量，但是闪存单元格参数只能缩小至一定尺寸，若是连续迭代更前辈工艺，其本钱非常昂贵，不具备经济效益，为此，干系厂商给出的办理方案是3D堆叠，在平面发展经济效益低情形下，通过立体堆叠来实现高性能、高容量、低功耗目标。
现阶段，NAND Flash市场依旧是外洋厂商垄断，市场前三大厂商分别是三星、铠侠和SK海力士，合计市占率约为65%，比较DRAM市场格局，NAND Flash市场垄断地位有所低落。从产能构造看，美光量产产能开始转向176层，其他厂商基本勾留在128层，海内长江存储NAND工艺也处于128层，基本遇上了国际前辈水平。
整体而言，在小众存储领域里，海内干系企业技能已经达到了国际前辈水平，而在主流存储市场里，NAND Flash市场格局要好于DRAM市场，若是不考虑高端市场利用，则现阶段基本可以实现国产替代。
