固态硬盘在变得便宜的同时，读写速率也在不断恶化，对付追求高性能的玩家来说很难接管。硅谷企业NEO Semiconductor研发的X-NAND技能或将成为NAND闪存的大救星：它理论上可以让QLC闪存比现有的SLC更快，同时还能保持低价。唯一的差别是，X-NAND无法提升闪存写入寿命。
增加Plane提高并发：
QLC自身的写入速率大约只有SLC闪存的1/8旁边，提高数据读写的并发度是改进闪存性能的紧张方向。目前3D NAND闪存已开始从2 Plane设计向4 Plane设计转变。
铠侠的XL-Flash超低延迟闪存为了提高性能更是采取了16 Plane等设计。不过要将16 Plane设计普遍运用到3D闪存中却并不经济：Page Buffer的数量会同步提升，并导致闪存芯片面积急剧增大，进而让闪存的制造本钱上升。这也是XL-Flash只能专注于高性能存储而难以惠及消费级SSD的缘故原由。
NEO Semiconductor变动了NAND闪存的设计，将Page Buffers容量降落到1KB来避免16 Plane设计在本钱的增加。
X-NAND理论上可将闪存读写速率提高16倍，同时由于位线长度和电容的降落，随机读取速率以及写入验证速率也将大大提高。
按照NEO Semiconductor公开的数据，X-NAND技能可令QLC闪存的随机读写性能提高3倍、顺序读取速率提高27倍、顺序写入速率提高14倍。
提升之后的X-NAND QLC将比当前SLC闪存的顺序读写速率更快一些，但随机读写性能依然掉队于真正的SLC闪存。不过，X-NAND技能同样可以用于SLC闪存，让SLC变得好比今更快。
加速鸡血永一直的奥秘：
回到大家最关心的“写入不掉速”问题上来。NEO Semiconductor承诺让QLC闪存可以始终以SLC缓存的速率进行写入，而不会涌现缓存用完、速率暴跌。相信很多朋友和
NEO Semiconductor在最新的白皮书中阐明了个中的事理。X-NAND充分发挥了Plane数量增加的红利，让不同分组的闪存交替以SLC写入、QLC开释和闪存擦除三种模式循环事情。
根据NEO Semiconductor的数据，32 Page的数据连续写入到8个Plane耗时6400μs，而将这些数据读取后并发写入到QLC Page所需的韶光大约也是6400μs，这么一来一去，就可以保障数据可以始终保持全速写入而不发生掉速。
小容量设备的福音：
X-NAND的一个主要上风是它可以普惠众生，而不仅仅是面向昂贵的高端企业级SSD。
Plane数量的增加使得闪存并发存取性能提升，小容量的闪存也能供应可不雅观的读写速率（特殊是写入速率）。在外部接口（SATA/PCIe）总带宽固定的情形下，闪存性能的提升还可以降落对主控闪存通道数量的需求，进而降落SSD主控的本钱。
灵巧多变，知足每个人的需求：
每个人对存储性能的需求是不同的。硬件发热友和电竞玩家追求极致性能，普通家用方向于均衡的性能和本钱，办公和教诲市场可能更喜好够用就好的高性价比SSD。X-NAND的Plane数量并非固定在16个，减少Plane数量意味着闪存芯片本钱的降落，可以制造出速率相对不那么快、但价格更低的闪存。
NEO Semiconductor在去年的FMS闪存峰会上首次公开X-NAND，目前它们已经得到了干系技能专利，但它们不会自己利用这些技能进行闪存生产。以是我们什么时候能够实际体验到上述新技能上风，在一定程度上取决于天下紧张闪存制造商会不会向NEO Semiconductor购买专利授权，或者它们自己是否已经有了类似的专利储备，并终极将其量产。总的来说，NAND闪存的发展前景是光明的，我们无需担心写入速率一步步向着HDD水平滑落而没有选择。
