我国首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产_紫光_芯片

目前，我国通用存储器基本全部依赖入口，国家存储器基地于２０１７年成功研发我国首颗３２层三维ＮＡＮＤ闪存芯片。
这颗耗资１０亿美元、由１０００人的团队历时２年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最靠近国际高端水平的主流芯片，有望使我国进入环球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

据先容，国家存储器基地项目２０１６年由紫光集团联合国家集成电路家当投资基金、湖北集成电路家当投资基金、湖北科投共同投资培植，总投资２４０亿美元，项目一期总产能将达到３０万片／月，年产值将超过１００亿美元。

紫光集团董事长赵伟国表示，今年１０月设备将点亮投产，估量２０１９年底６４层闪存产品将实现爬坡量产。
未来十年，紫光集团操持至少还将投资１０００亿美元，相称于均匀每年投入１００亿美元，进一步拉近我国在高端芯片领域与前辈国家的间隔。