本次讲堂为英文授课，可中文互换
输
讲堂安排
（需注册费，详见下文）
韶光：2019年6月27- 28日
地点：南京市江北新区家当技能研创园孵鹰大厦A座316
组织安排
主理单位
工业和信息化部人才互换中央
南京市江北新区管理委员会
承办单位
IC聪慧谷
协办单位
南京江北新区家当技能研创园
南京软件园
南京集成电路家当做事中央
南京江北新区人力资源做事家当园
支持单位
SEMI China
支持媒体
中国半导体论坛、EETOP、
半导体行业同盟、半导体圈、微友助手
IC咖啡、与非网、芯榜、矽说
专家先容
Wai Tung Ng
吴伟东
加拿大多伦多大学 教授
纳米制造中央主任
个人履历：
吴伟东教授分别于1983年、1985年和1990年在多伦多大学得到电气工程学士、硕士、博士学位；
1990年，吴教授加入德克萨斯仪器公司的半导体工艺和开拓中央，致力于汽车运用的功率器件；
1992年，在喷鼻香港大学电子及电气工程学系任教，1993年返回多伦多大学，2008年晋升为全职教授；
2009年起，吴教授担当IEEE Electron Device Letters的副主编，自2014年起担当多伦多大学多伦多纳米制造中央主任。
研究领域：
教授研究兴趣广泛，涵盖智能功率集成电路设计，功率半导体器件，前辈的CMOS和射频BJTs。
他在电源管理电路、集成DC-DC转换器、智能功率集成电路、功率半导体器件和制造工艺等领域揭橥了大量论文。
吴教授自2009-2018年，担当IEEE电子设备通讯的副编辑。
自2014年起，吴教授担当多伦多大学纳米制造中央主任，该中央是多伦多大学的一个公开评估研究机构。
他还领导着多伦多的智能电源集成与半导体器件研究小组。
他的研究方向包括智能电源集成电路、电源管理集成电路、智能门驱动器集成电路、集成DC-DC转换器、硅和GaN功率半导体器件。
讲堂大纲
Abstract:
Power MOSFETs, IGBTs and wide bandgap (WBG) power devices are widely used in power electronic systems. As the Si-based power device technology is reaching its theoretical performance limit, more and more efforts have been placed on the gate driver design to further improve the device performance. Recent trends for smart gate driver ICs are to integrate a variety of complex functions to provide better protection, monitoring, and local control of the switching behaviour of the power device. This course reviews selected current commercially available gate driver ICs as well as depth studies on examples of recent smart integrated gate driver ICs. In particular, smart gate driver ICs with innovative integrated features such as indirect/non-intrusive collector current sensing, on-chip CPU for digital processing, dynamic gate driving strength for EMI suppression, etc. Local current regulation can also be achieved without any extra discrete components or external digital controller.
功率MOSFETs、IGBTs和宽带隙(WBG)功率器件在电力电子系统中有着广泛的运用。随着硅基功率器件技能逐渐达到理论性能极限，越来越多的人将精力放在栅极驱动器的设计上，以进一步提高器件的性能。智能栅极驱动芯片的最新趋势是集成各种繁芜的功能，以便对功率器件供应更好的保护、监测以及开关行为确当地掌握。本课程回顾了一些当前市情上可用的栅极驱动芯片，并对照来的智能栅极驱动芯片的案例进行深入研究，特殊是具有如下创新集成特性的智能栅极驱动芯片：间接/非侵入式集电极电流感测、片上CPU数字处理、动态栅极驱动强度以抑制电磁滋扰等。在不须要额外的分立元件或外部数字掌握器的情形下，也能实现本地电流调制。
Course Description
1. Basic Gate Drive Requirements
This session begins with a review of basic gate drive requirements and the switching behavior of power MOSFETs, IGBTs, and wide bandgap (WBG) power devices such as SiC MOSFETs, and GaN HEMTs. The turn-on/off processes of a typical IGBTs will be examined with special attention on the Miller plateau, dv/dt, di/dt, and ringing oscillation. Several commercially available gate driver ICs will be used to illustrate the typical functionality and protection features. These includes gate current sourcing/sinking, external gate resistor, level shifting, dead-time control, and under voltage lockout (UVLO).
1. 基本栅极驱动哀求
本课程首先回顾基本的栅极驱动哀求以及功率MOSFETs、IGBTs和宽带隙(WBG)功率器件(如SiC MOSFETs和GaN HEMTs)的开关特性。我们将特殊关注米勒高台、dv/dt、di/dt和振铃振荡对范例IGBTs开关过程的影响。我们将用一些商用门驱动芯片来解释范例的功能和保护特性。这些包括栅电流源/沉、外部栅电阻、电平转换、去世区韶光掌握和欠压锁定(UVLO)。
2. Smart Gate Driver IC Design Examples
Recent trend in gate driver design include many intelligent features such as on-chip CPU for dynamic control, flexible gate voltage levels, multi-stage driving speed for slew-rate control, precise timing control, current sensing capability for close-loop regulations, and active gate driving mode with continuous optimized dead-time. This session provides an introduction to various smart gate driver designs. The first topic focuses on IGBT gate drivers with indirect/non-intrusive collector current sensing. This is useful for both monitoring and protection of the IGBTs. The second topic emphasizes on the benefits of dynamic gate driving on suppressing EMI and enhancing power conversion efficiency. The final topic highlights the importance of precision timing and dead-time correction. This is especially critical for GaN power devices where the switching operation can in multi-MHz range, requiring pico-second resolution in the dead-time adjustment.
We expect that, after attending this short course, the audience will obtain a useful insight on basic gate driver requirements and gain exposure to future design trend in smart gate driver ICs.
2. 智能栅极驱动IC设计实例
栅极驱动设计的最新发展趋势包括许多智能特性，如用于动态掌握的片上CPU、灵巧的栅压电平、用于压摆率掌握的多级驱动速率、精确的时序掌握、用于闭环调节的电流感测能力以及具有连续优化去世区韶光的主动栅极驱动模式。本课程将先容各种智能栅极驱动器的设计。第一个主题是利用间接/非侵入式集电极电流感测技能的IGBT栅极驱动器。这对监测和保护IGBTs都很有用。第二部分着重谈论了动态栅极驱动技能在抑制电磁滋扰和提高功率转换效率方面的上风。末了一个主题强调了精确时序和去世区韶光校正的主要性。这对付GaN功率器件尤其主要，由于开关操作会在兆赫兹频率范围内进行，其在去世区调度时须要皮秒级分辨率。
我们希望通过这门简短的课程，让学员们对智能栅极驱动芯片的基本需求有深入的学习，并对智能栅极驱动芯片的未来设计趋势有所理解。
课程安排
注册用度：
（1）注册用度：4600元/人
（2）芯动力互助单位学员：4000元/人
（3）学生福利：
全国高校学生参加国际名家讲堂，享受标准注册费半价福利：2300元/人
南京本地学校学生可享受专享注册费：1000元/人
（4）南京市及江北新区福利：
凡公司注册地在南京市江北新区的企业，均可免费参与本次讲堂（需同时供应申请书-江北新区企业专用）。
凡公司注册地在南京市范围内的企业，均可享受标准注册费减半（2300元/人）
（5）老学员福利：
凡已付费参加任意一期2018年国际名家讲堂，本人6个月内可以享受半价标准注册费参加2019年讲堂。（已兑换过半价讲堂的，不再重复参与。）
注：
1.学生注册费，需供应学生证或所在学校出具的学生证明（加盖学校或学院公章），扫描件发icplatform@miitec.cn，审核通过后即可参加。
2.含授课费、园地租赁费、资料费、活动期间午餐，学员交通、食宿等用度自理。
国信芯世纪南京信息科技有限公司是工业和信息化部人才互换中央的全资子公司，为本期国际名家讲堂开具发票，发票内容为培训费。
请于2019年6月26日前将注册费汇至以下账户，并在汇款备注中注明款项信息（第89期+单位+参会人姓名）。
付款信息：
户 名：国信芯世纪南京信息科技有限公司
开户行：中国工商银行株式会社南京浦珠路支行
帐 号： 4301014509100090749
或请携带银行卡至活动现场，现场支持 POS 机付款。
报名办法
1.在线报名（推举）
请利用微信扫描下方二维码，在线报名：
2.邮件报名
填写报名回执表并发送Word电子版至“芯动力”人才操持邮箱：icplatform@miitec.cn
回执表文件名及邮件标题格式为：“报名+第89期+单位名称+人数。”
报名回执表下载链接：
https://pan.baidu.com/s/1iJ5BM7k35bHM3oUT8rouKQ
咨询电话：张欢 025-69678210、18262610717
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芯动力人才操持
“芯动力”人才操持是工业和信息化部人才互换中央组织开展的、做事国家集成电路家当发展的人才专项，通过整合国内外优质智力资源，搭建园区、企业、人才等行业要素广泛参与、资源共享的互换平台，构建充满活力和富含代价的集成电路家当人文生态环境。
IC聪慧谷
“芯动力”人才操持在部分城市设立“IC聪慧谷”，由中央与地方政府共同运营，目的是提升城商场成电路家当品牌形象，实现集成电路家当人才和项目集聚，为本地区集成电路人才搭建学习、互换、互助、创业平台。
“芯动力”人才操持
助力集成电路人才学—思—创三领悟
IC聪慧谷
奏响高端家当人才聚—留—融三部曲
“芯动力”人才操持
构建集成电路家当人文生态环境
芯动力人才操持
联系人：汪晨、周静梅
电 话：025-69640094、025-69640097（010-68207851）
E-mail：icplatform@miitec.cn
工业和信息化部人才互换中央
