GaNcore系列内置650V 耐压功率器件，分别120mΩ、360mΩ、410mΩ的RDS(on) ，芯片采取QFN8X8 封装，并且支持CCM/QR稠浊模式架构；全电压范围内待机功耗小于65mW。该系列产品也是熙素微电子长期开拓GaN器件方案的一部分。在有限的韶光、空间内创造出33W、45W、65W、90W、120W充电器通用的氮化镓功率芯片，熙素微电子的研发实力可见一斑。
据理解，熙素微电子是一家聚焦于氮化镓（GaN)半导体等领域的高科技芯片公司，预备于2018年，2020年公司成立于上海自贸区临港新片区；致力于氮化镓功率器件、氮化镓功率芯片家当化遍及。
熙素微电子GaNcore 系列产品都是基于氮化镓（GaN) 材料开拓的高集成芯片，该系列产品中的GaN 包含硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓；根据性能的须要选择天下一流的产品材料和制造工艺，打造出面向高效率高密度运用于开关电源的器件。
熙素微电子GaNcore系列产品是一款高性能高可靠性电流掌握型PWM开关掌握氮化镓功率芯片，仅需 +11V 非稳压电源输入，全电压范围内待机功耗小于65mW，知足六级能效标准，并且支持QR/CCM稠浊模式，芯片耐压650V，结温220度，专有技能降落 GaNFET开关损耗提高产品效率及功率密度，改进产品EMI。
GaNcore 系列中的TSP65015Q8、TSP65016Q8、TSP65025Q8、TSP65005Q8集成多种事情模式，在重载情形下，系统事情频率是130KHz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情形下，系统事情在QR模式，并采取专有技能，以降落开关损耗，同时结合PFM事情模式提高系统效率。设计职员在快充（PD）等电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。
该系列产品的固有上风超越硅MOSFET性能，又具备利用硅MOSFET和常规驱动IC一样的便利性，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降落 80% 的零反向规复以及可降落 EMI 的低开枢纽关头点振铃。这些上风支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。
GaNcore系列产品含专有的氮化镓（GaN）技能，易于开拓高效高可靠性开关电源产品，在轻载或空载情形下，系统事情在 BurstMode模式，有效去除音频噪音；同时在该模式下，GaNcore系列中的TSP65005Q8、TSP65015Q8、TSP65016Q8、TSP65025Q8本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频事情模式，以改进EMI。
GaNcore 系列中的TSP65015Q8，TSP65016Q8，TSP65025Q8，TSP65005Q8同时集成了多种保护模式和补偿电路、包括 VCC、OVP，内置0TP、外置OVP、欠压锁定(uv|o)，逐周期过流保护OCP、过载保护（OLP），CS短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿和电压补偿。
以上为GaNcore 系列功率芯片产品：TSP65005Q8、TSP65015Q8、TSP65016Q8、TSP65025Q8关键参数。
同时，熙素微为了加速充电器、小功率开关电源的开拓，也同步供应了33W、45W、65W、90W、120W的快充参考设计，从供应的DEMO中改进即可实现量产，分别如下：
1、33W氮化镓快充DEMO
2、45W氮化镓快充DEMO
3、65W氮化镓快充DEMO
就如熙素微电子愿景中提到的“氮化镓功率芯片家当化遍及”，也不辜负广大用户的选择，熙素微电子管理团队与技能过硬外延厂、专注氮化镓晶圆生产的互助伙伴携手共进为家当供应自主可靠的供应做事。大音希声，大象无形；据理解，2022年熙素微电子氮化镓芯片产能估量5000万颗以上，2023年产能估量1.8亿颗以上，2024年产能估量5亿颗以上。
熙素微电子GaNcore系列33W、45W、65W、 90W、120W反激式氮化镓功率芯片开关电源参考设计已经发布，在11月26日即将举办的2021（秋季）USB PD＆Type-C 亚洲大会上，熙素微电子的全系列氮化镓功率芯片DEMO将一齐亮相。
