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专利择要显示，本公开供应了一种芯片堆叠构造及其制作方法，芯片堆叠构造包括：第一半导体芯片、第二半导体芯片、连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的旗子暗记传输构造以及设置在第一半导体芯片上的第一掌握电路和第一选择电路；旗子暗记传输构造包括第一传输构造和第二传输构造；第一掌握电路包括第一编程器件，第一编程器件被配置为存储第一传输构造的状态信息，第一掌握电路与第一选择电路的掌握端耦接；第一选择电路的两个输出端分别与第一传输构造和第二传输构造耦接，第一选择电路被配置为根据第一编程器件存储的状态信息，将旗子暗记传输至第一传输构造和第二传输构造之一。使得芯片堆叠构造上电瞬间即可读取第一传输构造的状态信息，缩短信息通报路径。
本文源自金融界
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