公开资料显示，DRAM（动态随机存储器）是目前市情上两大存储芯片的品类之一，紧张用于缓存；另一款为NAND Flash（闪存），用于数据的存储。参考宣布曾指出，多年来，DRAM芯片这一高端半导体的制造技艺一贯被韩国三星电子、韩国SK海力士、美国美光科技3家企业垄断，统共霸占了环球95%以上的份额。而此状况对付我国的存储芯片市场实在是不太有利的。
由于我国在存储芯片市场的技能空缺，存储器一贯是中国集成电路出口额占比最高的产品。数据显示，2019年中国集成电路入口总金额约为3055.5亿美元，而存储器却以946.97亿美元的入口额，占到了整体入口额的约31%。不过，这一情形已经得到我国的重视，此前我国有关部门提出，半导体将作为优先发展家当，阶段性目标是自给率从20%提高到40%，然后在2025年提高到70%。
事实上，我国在去年已经实现了一定规模的存储芯片出口——存储器出口金额约为523.8亿美元，同比增长18.8%，在总体的出口额当中占比高达约51.6%。不过有剖析指出，估计这个存储器的出口金额大多还是国外存储芯片厂商在华的生产线所贡献的。据悉，在看好中国市场强劲的消费需求以及生产水平下，目前三星、SK海力士、英特尔等国际芯片巨子都在中国建有存储芯片工厂。
这一征象正是美国所担忧的。据宣布，美国在今年5月提出，禁止美企向部分中国企业供应美国前辈半导体技能产品，其担忧就在于——太多美企与中国互助之下，终有一日美国本土半导体生产会被断供。为了确保自家的芯片供应安全，美国自去年10月就开始喊话台积电、英特尔等半导体供应商到美国设下生产线。
而据外界看来，美国的举动显然还存在另一重担忧——被中国企业赶超。据宣布，虽然我国在存储芯片的技艺才刚起步，但2018年底我国长江存储的32层3D NAND闪存芯片已顺利实现量产。到了去年9月，我国芯片设计制造企业合肥长鑫宣告，其采取的是19nm工艺制造的DRAM芯片（8Gb DDR4）正式投产。业内人士曾估量，到2020年底，仅合肥长鑫一家的内存芯片产能大概就能在环球霸占3%的份额。
