IGBT，这个集MOS和BJT于一身的"强"，一样平常我们认为IGBT的空想等效电路如下图所示
上图直不雅观地显示了IGBT的组成，是对PNP双极型晶体管和功率MOSFET进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。
故在G-E之间外加正向电压使MOS管导通时，PNP晶体管的基极-集电极之间就连上了低电阻，从而使PNP晶体管处于导通状态。此后，使G-E之间的电压为零或者负压时，首先MOS管处于断路状态，PNP晶体管的基极电流被割断，从而使IGBT关断。以是，IGBT和MOS一样，都是电压掌握型器件。
那闩锁效应的产生是在哪里呢？
实在IGBT的实际等效电路与上面我们讲到的空想等效电路略有不同，还须要考虑其内部寄生的内容，如下图。
从上图我们可以看出，实际等效电路是由可控硅和MOS构成的。内部存在一个寄生的可控硅，在NPN晶体管的基极和发射极之间并有一个体区扩展电阻Rs，P型体内的横向空穴电流会在Rs上产生一定的电压降，对付NPN基极来说，相称于一个正向偏置电压。在规定的集电极电流分为内，这个正偏电压不会很大，对付NPN晶体管起不了什么浸染。当集电极电流增大到一定程度时，该正向电压则会大到足以使NPN晶体管开通，进而使得NPN和PNP晶体管处于饱和状态。此时，寄生晶闸管导通，门极则会失落去其原来的掌握浸染，形成自锁征象，这便是我们所说的闩锁效应，也便是擎住效应，准确的该当说是静态擎住效应。IGBT发生擎住效应后，集电极的电流增大，产生过高的功耗，从而导致器件失落效。
动态擎住效应紧张是在器件高速关断时电流低落太快(di/dt大)，dv/dt很大，引起的较大位移电流，流过Rs,产生足以使NPN晶体管导通的正向偏置电压，造成寄生晶闸管的自锁。
在IGBT中，在有过电流流过期，我们通过掌握门极来阻断过电流，从而进行保护。但是，一旦可控硅触发，由于可控硅不会由于门极的阻断旗子暗记等而进行自动消弧，因此此时的IGBT不可能关断，终极导致IGBT因过电流而破坏。
那么我们可以怎么样来防止或者说是减小擎住效应呢？一样平常有以下几种技能：
①采取难以产生擎住效应的布局，也便是减小体区扩展电阻Rs；
②通过优化n缓冲层的厚度和掺杂来掌握PNP晶体管的hFE；
③通过导入降落寿命的手段来掌握PNP晶体管的hFE；
以是，关于IGBT的实际运用，我们是不许可其超安全事情区域的，针对这个，我们采取了很多保护手段。以是，每个元器件，有的时候我们考虑的只是我们须要不雅观察的，但是其背后的故事则会见告我们，为什么我们该当这样去考量。
从原材料到成品IGBT，这个过程经历了太多环节，每个环节都很主要，这才有了知足我们需求的各种元器件。
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