专利择要显示,本实用新型涉及晶闸管芯片技能领域的一种多层保护构造及晶闸管芯片,包括门极,门极的一侧设置有阴极,阴极的下表面设置有N2层,N2层的下表面设置有P2层,P2层的下表面设置有N1层,N1层的下表面设置有P1层;多层保护构造包括保护层,保护层包括设置在N1层两侧高压槽上的SIPOS层,SIPOS层的一侧表面设置有玻璃钝化层,玻璃钝化层的一侧表面设置有LTO层,P1层两侧设置有隔离墙,隔离墙的上端表面设置有薄膜,N1层的上表面设置有第二PN结,N1层的下表面设置有第一PN结,晶闸管芯片采取集成加工,晶闸管芯片形状为方形。此项专利技能的多重保护可以提高性能、提高稳定的同时提高芯片机器强度、抗气氛影响性能好的特点,同时还具有耐特殊高温的特点。
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