中芯集成-U 申请半导体器件及其制备方法专利改进器件的应力集中现象提高器件的靠得住性_侧壁_基底

专利择要显示，本发明供应了一种半导体器件及其制备方法，包括：供应基底，基底上形成有由下至上依次堆叠的第一振膜、第一支撑构造、背极板和第二支撑构造，个中第一支撑构造包括由下至上依次堆叠的第一至第 M 层第一支撑层，第二支撑构造包括由上至下依次堆叠的第一至第 M 层第二支撑层；实行干法刻蚀工艺，刻蚀第二支撑构造和第一支撑构造形成侧壁垂直的通孔；实行湿法刻蚀工艺，刻蚀通孔的侧壁使得通孔的两端部的侧壁倾斜以及通孔的中间部的侧壁垂直，且通孔的两端部的宽度均大于通孔的中间部的宽度；形成支撑材料层添补于通孔内以形成支撑柱。
本发明能够改进器件的应力集中征象，提高器件的可靠性。

本文源自金融界