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NAND flash 旗子暗记线的理解_数据_时序

admin 2024-12-24 11:54:26 0

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如果2440要读取A地址的数据,或将数据写入B地址。
当CLE为高电平表示IO0-IO7传送的是命令;当ALE为高电平表示IO0-IO7传送的是地址;当ALE与CLE都为低电平的时候,表示IO0-IO7传送的是数据。

CE:片选。
当2440要操作访问Nand的时候,首先必须选中。

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RE:读旗子暗记,当RE为低的时候,表示数据由Nand流向2240;

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(图片来自网络侵删)

WE:写旗子暗记,当RE为低电的时候,表示数据由2240流向Nand;

WP:写保护,只能写,不能擦除。

R/B:Ready旗子暗记,表示Nand Flash烧写完成

这些引脚详细怎么组合起来的,须要查看手册中的时序图。

发(写)命令的时序图:

首先CE发出片选旗子暗记,CLE发出高电平,IO 0-7将命令驱动出去,WE写脉冲,在写脉冲的上升沿,Nand flash在上升沿,将IO 0-7中数据读取出来。

发地址的时序图:

CE片选, ALE由低变高,IO 0-7驱动 数据,WE发出写脉冲。

输入(写)数据的时序图:

CE选中,ALE、CLE低电平,2440 IO 0-7驱动 数据,WE写旗子暗记,Nand flash根据ALE、CLE低电平,读取数据。

输出(读)数据的时序图:

CE低电平选中,RE由高变为低(Nand flash收到RE由高变低时,立时准备数据,然后在RE的上升沿将数据发送出去),Nand flash 驱动数据到IO 0-7,在上升沿,2440取数据。

2440这些引脚发出的数据,必须知足Nand flash的时序哀求。
须要查看2440芯片手册,查看设备哪个寄存器的某些位来掌握时序

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