MRAM技能的硬盘容量只有1-2GB但150万IOPS随机机能炸裂_硬盘_企业级

基于ST-MRAM技能的nvTIRO硬盘目前容量只有1-2GB，但随机性能逆天

目前MRAM技能大都是基于ST（Spin-transfer torque，自旋钮转换）技能，Everspin公司的nvNITRO硬盘也不例外，它基于该公司的256Mb DDR3ST-MRAM芯片打造，目前实现的容量是1GB和2GB，分别利用32颗、64颗ST-MRAM芯片，接口则是PCI-E 3.08x，HHHL半高半长规格，支持NVMe标准。

官方通知布告中没有提及随机读写速率，只给出了4K QD=32随机性能高达150万IOPS，延迟则只有6微秒，这个指标放在高端企业级SSD中也是非常刁悍的，Aanandtech网站给出的两个例子便是Intel最强企业级硬盘DC P3700延迟有20微秒，HGST企业级SSD Ultrastar SN260硬盘随机性能也不过120万IOPS。

根据Everspin公司所说，他们估量Q2季度正式推出nvNITRO硬盘，会有U.2、M.2等其他规格的产品，容量也会涵盖512MB到8GB范围。

除此之外，今年晚些时候他们还会推出基于DDR4界面的1Gb ST-MRAM芯片，硬盘容量可以达到4-16GB了。

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