汽车存储芯片在汽车半导体中的代价占比，2023年在8-9%旁边，估量到2028年将上升至10-11%，紧张受益于汽车存储芯片创新加速，推动前辈技能存储芯片快速上车。紧张驱动力包括：
DRAM：DRAM是存储芯片中市场规模最大的芯片，在消费电子领域（手机、PC、平板等），DDR5（LPDDR5）已成为主流，将在未来2-3年逐步替代传统的DDR4（LPDDR4）。在汽车领域，也正从传统的DDR到DDR4、LPDDR3、LPDDR4等，向LPDDR5、GDDR6等前辈存储产品演进。
HBM：高宽带内存，加强版的DRAM，通过堆叠多颗DRAM芯片来供应更高的带宽和容量。由于价格高昂，很长一段韶光都不太可能涌如今汽车整车中，但用于Transformer AI大模型演习的云端做事器必须配置大量的HBM，HBM本钱在AI做事器本钱中占比排名第三，约占9%，单机ASP（单机均匀售价）高达18,000美元。
NAND Flash：车载打算系统中，主要的数据和演习好的权重模型等存储在硬盘（即eMMC或UFS）里，NAND 紧张用于ADAS 系统、IVI 系统、汽车中控等，紧张浸染在于存储连续数据。五大域领悟趋势下，未来3-5年，NAND的单车需求将攀升至2TB+，面向中心打算的车用PCIe SSD将成为主要增长点。
SRAM：速率远超NAND、DRAM，但本钱高昂，独立的SRAM险些已经消逝，紧张以IP内核的形式直接被集成到CPU，GPU，以及各种SoC芯片内部。高性能汽车SoC普遍集成高容量的片上SRAM。
新型存储（MRAM）：三星、台积电等晶圆制造巨子正在研发MRAM内存产品，并推动下一代汽车运用的实现。恩智浦下一代S32区域处理器（Zonal ECU）、以及微处理器（MCU）都操持引入MRAM，业界认为，MRAM有望替代SRAM成为高速缓存存储器。
EEPROM：智能汽车EEPROM利用需求高达30-40 颗，而普通燃油车EEPROM利用需求仅为15颗旁边。EEPROM正向BMS、智能座舱、网关、三电系统等运用延伸。
新型存储（FRAM）：FRAM，相较传统的Flash、EEPROM在读写耐久性、写入的速率和功耗等方面都更具有上风，已运用于安全气囊数据储存(Airbag)、事件数据记录器(EDR)、新能源车CAN盒子(CAN-BOX)、新能源车载通讯终端(T-BOX)等领域。
车载NAND Flash存储演进：UFS 4.0、面向中心打算的PCIe SSD、CXL内存扩展技能
与电脑系统一样，如今的车载打算系统也有硬盘，主要的数据和演习好的权重模型存在硬盘里。
eMMC5.1、UFS3.1已成为目前车载NAND Flash存储的主流标准，2024年2月铠侠推出业界首款车载UFS 4.0嵌入式闪存，符合AEC-Q100 Grade2哀求，并已经开始向业界供应样品，最大数据速率4.64GB/s。估量到2025年，UFS 4.0将成为车载存储的标准选项之一，并适用于不同的整车电子电子架构。
未来，基于PCIe接口的NVMe协议车规级SSD将供应大于10GB/s的数据吞吐率，海量存储容量将为下一代智能车载系统供应强力支持。车规级SSD硬盘指的是PCIe做物理层，NVMe做通讯协议的固态硬盘。
NVMe支持超长行列步队，可以大幅缓解并行打算时存储瓶颈问题。中心打算时期，存储须要统一到中心打算器上，PCIe是最佳选择，通过PCIe交流机将SSD连接在中心SoC打算单元上。
来源：慧荣科技
存储行业的标准制订者JEDEC在2022年11月通过了JESD312标准，12月14日正式公开拓布。JESD312定义了用于汽车和类似运用的SSD封装、协议、环境哀求和电气接口。车用SSD将利用BGA形式直接贴装在PCB板上，尺寸不大于28 x 28毫米，利用PCIe 4.0 x4接供词给最高8GB/s的峰值传输速率。
JESD312充分考虑汽车电子架构变革，以软件定义汽车，中心打算架构为目标，许可分割存储阵列。
来源：JEDEC
在PCIe之上的CXL存储技能，将是未来车用存储发展的主要方向之一，CXL（Compute Express Link）是一种新兴的开放式互连标准，实在质是将原来的硬盘访问模型改为现有内存访问模型，以内存访问的形态进行数据交互。CXL能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，从而知足高性能异构打算的哀求。
来源：得一微电子
车载DRAM存储演进：Transformer大模型时期，GDDR6和HBM快速发展，存储本钱飞速增长
AI运算最关键之处是存储而非AI处理器本身，AI运算90%的功耗和延迟都来自存储或者说都来自数据的搬运。90%的工况下，AI处理器都在等待存储系统搬运数据，而运算系统所须要的韶光险些是可以忽略的，以是存储系统的好坏实际决定了真实的算力大小，个中存储带宽基本可以等同于存储系统的好坏，也基本等同真实算力的高低。
在Transformer时期，模型参数至少10亿以上，模型至少1GB大小，存储带宽也决定了能不能运行Transformer。此外，存储还决定了功耗。根据英特尔的研究表明，AI芯片（加速器）当半导体工艺达到 7nm 时，数据搬运功耗高达 35pJ/bit，占总功耗的63.7%。
智能汽车对图像浮点打算的需求不断提升，要流畅地运行Transformer大模型，读取权重模型的速率至少要做到每秒200次，那么存储带宽至少得400GB/s以上，600GB/s以上运行起来会比较流畅。基于此，存储大厂三星、美光都操持推出自己的车规GDDR6办理方案。
特斯拉HW3.0中，第一代FSD的存储带宽只有34GB/s，难以支撑下一代大模型运行；因此，特斯拉最新的自动驾驶大脑即HW4.0不惜血本用上了GDDR6，正反两面各用了8颗，总计16颗，每颗容量2GB；加上座舱掌握器里还有4颗GDDR6，每颗容量也是2GB，合计20颗40GB，本钱高达160美元以上。而上一代HW3.0中，利用了8颗LPDDR4芯片，一共 8 片 LPDDR4 RAM颗粒，每颗RAM的容量为1GB，共8GB，本钱在28美元旁边。
特斯拉最新的自动驾驶大脑即HW4.0
来源：佐思汽研《2024年汽车存储芯片及存储家当研究报告》
特斯拉HW4.0 GDDR6是美光供应的D9PZR（非车规级），GDDR6物理层来自Cadence。其余一家能供应GDDR6物理层的是Rambus，其存储物理层IP每年也有大概1.4亿美元的收入，2023年9月，Cadence收购了 Rambus 的 SerDes 和存储器接口 PHY IP 业务。
目前车载芯片内存总带宽特斯拉二代FSD最高，最低估计有448GB/s，最高估计有1008GB/s。目前，SK Hynix供应的HBM2E型号为H5WG6HMN6QX038R，最低带宽为460GB/s，容量为16GB，双通道设计即可达920GB/s，最高估计可达1840GB/s，不过性价比与GDDR6还是差距较大。
估量车载存储的下一波会是GDDR6，再下一波才有可能是HBM，特斯拉的HW 5.0或者说第三代FSD芯片可能会采取HBM存储，但这是非常久远的事了。
常见汽车自动驾驶SoC芯片存储带宽统计
来源：佐思汽研《2024年汽车存储芯片及存储家当研究报告》
《2024年汽车存储芯片与存储家当研究报告》目录
共530页
01
汽车存储芯片行业概述
1.1 存储芯片分类
1.1.1 存储设备分为三大类
1.1.2 存储芯片（半导体存储）分类
1.1.3 不同存储器在打算单元中利用位置
1.1.4 类型1：易失落性存储（RAM）
1.1.5 类型2：非易性存储器（ROM）
1.1.6 类型2：非易性存储器（ROM）：FLASH Memory分类
1.2 存储芯片行业发展现状
1.2.1 2024年环球半导体行业发展，存储芯片是紧张驱动力
1.2.2 WSTS估量2024年环球半导体发卖额将增长13.1%
1.2.3 2023年环球不同类型半导体市场规模占比
1.2.4 2024年存储将向更多地运用处景持续延伸
1.2.5 2024年存储芯片涨幅预测
1.2.6 2023年紧张存储大厂的减产情形
1.2.7 存储芯片各细分市场紧张玩家
1.2.8 环球存储芯片代价链（1）
1.2.9 环球存储芯片代价链（2）
1.2.10 环球存储芯片代价链（3）
1.2.11 NAND SSD市场家当链构成
1.2.12 嵌入式NAND（eMMC、UFS）市场家当链构成
1.2.13 DRAM（DDR内存）市场家当链构成
1.2.14 环球紧张的Flash原厂（具备Fab能力）（1）
1.2.15 环球紧张的Flash原厂（具备Fab能力）（2）
1.3 车载存储芯片行业发展现状
1.3.1 汽车芯片分类
1.3.2 环球车规级芯片市场前景预测（1）
1.3.3 环球车规级芯片市场前景预测（2）
1.3.4 汽车存储芯片分类和运用
1.3.5 汽车存储芯片需求特性特点
1.3.6 不同类型存储芯片在汽车中的运用（1）
1.3.7 不同类型存储芯片在汽车中的运用（2）
1.3.8 不同类型存储芯片在汽车中的运用（3）
1.3.9 2023年环球汽车存储芯片市场规模
1.3.10 汽车存储芯片在ADAS、座舱等各细分场景的运用现状和预测
1.3.11 汽车存储芯片的技能演进趋势总结
1.4 车载存储芯片的需求和运用前景
1.4.1 智能汽车各子模块的存储需求
1.4.2 车内数据产生来源
1.4.3 车载存储技能变革方向
1.4.4 NAND存储产品在车载市场的运用
1.4.5 L3-L5级自动驾驶对车载存储芯片带宽和容量的需求（1）
1.4.6 L3-L5级自动驾驶对车载存储芯片带宽和容量的需求（2）
1.4.7 传感器数据对车载存储芯片的需求（1）
1.4.8 传感器数据对车载存储芯片的需求（2）
1.4.9 汽车数据记录器（EDR）产生GB级存储需求
1.4.10 多域领悟和中心集中式EEA趋势下，2025年NAND存储需求
1.5 车载存储芯片市场竞争格局
1.5.1 车载存储芯片市场竞争格局
1.5.2 车载存储芯片国内外竞争态势（1）
1.5.3 车载存储芯片国内外竞争态势（2）
1.6 车载存储车规级标准及认证
1.6.1 车载存储芯片整车供应链准入和认证流程
1.6.2 车载存储芯片车规标准及认证规范（1）
1.6.3 车载存储芯片车规标准及认证规范（2）
1.6.4 车规级芯片需知足的汽车供应链标准体系规范
1.6.5 车载存储芯片需通过严苛的AEC-Q100车用可靠性测试项目
1.6.6 车规级认证AEC-Q100测试项目
1.6.7 车规级芯片供应链认证 ISO 26262
1.6.8 车规级芯片 ISO 26262 功能安全等级认证
1.6.9 ISO 26262 标准半导体分类
1.6.10 汽车存储芯片需符合功能安全
1.6.11 车规级SSD上车面临的寻衅（1）
1.6.12 车规级SSD上车面临的寻衅（2）
1.7 车载存储芯片国产化
1.7.1 美国《出口管理条例》限定芯片出口
1.7.2 中国存储芯片供应链现状（1）：半导体材料、设备
1.7.3 中国存储芯片供应链现状（2）：设计、制造和封测环节
1.7.4 中国存储芯片供应链现状（3）：存储芯片IP
1.7.5 国产存储芯片厂商竞争现状
1.7.6 国产存储芯片厂商的四种类型（1）
1.7.7 国产存储芯片厂商的四种类型（2）
1.7.8 30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（1）
1.7.9 30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（2）
1.7.10 30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（3）
1.7.11 30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（4）
1.7.12 30家国产存储器及主控芯片厂商详细信息（5）
1.7.13 汽车存储市场的中国供应商机会（1）
1.7.14 汽车存储市场的中国供应商机会（2）
1.7.15 国产车规存储芯片厂商业务总结（1）
1.7.16 国产车规存储芯片厂商业务总结（2）
1.7.17 国产车规存储芯片厂商业务总结（3）
1.7.18 国产车规存储芯片厂商业务总结（4）
1.7.19 国产车规存储芯片厂商业务总结（5）
02
车载存储芯片前沿发展方向
2.1 车用存储前沿趋势（一）
2.1.1 HBM高带宽内存先容
2.1.2 HBM，生产工艺和本钱
2.1.3 HBM，DRAM和GPU封装，面向AI运用
2.1.4 HBM紧张运用于高性能AI打算做事器
2.1.5 HBM在Transformer AI模型中起到的浸染
2.1.6 环球紧张AI芯片利用HBM情形
2.1.7 英伟达H100和H200紧张差异在于HBM存储带宽
2.1.8 英伟达中国特供版AI芯片H20，与华为昇腾 910B直接竞争
2.1.9 环球HBM生产厂商竞争格局，SK海力士独占鳌头
2.1.10 HBM性能演进和发展进程
2.1.11 HBM技能迭代趋势（1）
2.1.12 HBM技能迭代趋势（2）
2.1.13 HBM技能迭代趋势（3）
2.1.14 HBM技能迭代趋势（4）
2.1.15 HBM技能迭代趋势（5）
2.1.16 HBM汽车运用磋商：常见汽车内存性能与价格比拟
2.1.17 HBM汽车运用磋商：HBM3掌握器框架图
2.1.18 HBM汽车运用磋商：常见汽车自动驾驶SoC芯片存储带宽统计
2.2 车用存储前沿趋势（二）
2.2.1 “存算一体”技能观点图：存算一体冲破传统的冯诺依曼体系构造
2.2.2 广义存算一体的技能方案：近存打算、存内处理、存内打算
2.2.3 PIM（存内处理）是下一阶段发展热点
2.2.4 PIM（存内处理）商业化案例（1）
2.2.5 PIM（存内处理）商业化案例（2）
2.2.6 PIM（存内处理）商业化案例（3）
2.2.7 PIM（存内处理）商业化案例（4）
2.2.8 PIM（存内处理）商业化案例（5）
2.2.9 PIM（存内处理）商业化案例（6）
2.2.10 SK海力士的思路：将内存作为加速器
2.2.11 SK海力士AiMX（1）
2.2.12 SK海力士AiMX（2）
2.2.13 SK海力士AiMX（3）
2.2.14 SK海力士CXL打算内存：FPGA产品集成HBM
2.2.15 三星的思路：基于CXL的近内存处理
2.2.16 三星面向AI的存内打算技能（HBM-PIM）（1）
2.2.17 三星面向AI的存内打算技能（HBM-PIM）（2）
2.2.18 三星面向AI的存内打算技能（HBM-PIM）（3）
2.2.19 真正的存算一体：存内打算（CIM）
2.2.20 存内打算（CIM）紧张面临存储介质的技能路径选择
2.2.21 海内存算一体芯片企业和技能路径选择
2.2.22 “存算一体”对付自动驾驶的意义（1）
2.2.23 “存算一体”对付自动驾驶的意义（2）
2.2.24 “存算一体”对付自动驾驶的意义（3）
2.2.25 后摩智能发布首款存算一体智驾芯片：鸿途 H30
2.2.26 后摩智能发展进程和核心技能架构
2.3 车用存储前沿趋势（三）
2.3.1 PCIe用场
2.3.2 PCIe标准规范
2.3.3 PCIe体系架构
2.3.4 高带宽、低延时PCIe总线是未来车用存储的主要方向
2.3.5 在PCIe之上的CXL存储技能将在汽车行业推广
2.3.6 基于PCI-e协议的CXL技能（1）
2.3.7 基于PCI-e协议的CXL技能（2）
2.3.8 汽车E/E架构的演进将带来PCIe SSD存储需求
2.3.9 PCIe SSD如何知足车规哀求？
2.3.10 PCIe SSD支配上车案例（1）
2.3.11 PCIe SSD支配上车案例（2）
2.3.12 PCIe SSD支配上车案例（3）
2.3.13 PCIe SSD支配上车案例（4）
2.3.14 汽车E/E架构的演进，PCIe交流机的运用（1）
2.3.15 汽车E/E架构的演进，PCIe交流机的运用（2）
2.3.16 汽车E/E架构的演进，PCIe交流机的运用（3）
2.3.17 汽车E/E架构的演进，PCIe交流机的运用（4）
2.3.18 汽车E/E架构的演进，PCIe交流机的运用（5）
2.3.19 PCIe交流机趋势（1）
2.3.20 PCIe交流机趋势（2）
2.4 车用存储前沿趋势（四）
2.4.1 非易失落性内存技能分类
2.4.2 非易失落性内存性能比拟
2.4.3 MRAM有潜力成为下一代存储
2.4.4 嵌入式和独立非易失落性内存技能将迅猛发展
2.4.5 MRAM环球和中国玩家发展现状
2.4.6 台积电开拓SOT MRAM新型存储器
2.4.7 三星基于前辈MTJ工艺推动MRAM技能发展
2.4.8 MRAM汽车运用案例（1）
2.4.9 MRAM汽车运用案例（2）
2.4.10 MRAM汽车运用案例（3）
03
各种型存储芯片汽车运用现状
3.1 DRAM技能和汽车运用情形
3.1.1 DRAM技能事理
3.1.2 DRAM发展为三条主流的分支发展方向
3.1.3 DDR和低功耗内存LPDDR
3.1.4 DDR/LPDDR内存标准（1）
3.1.5 DDR/LPDDR内存标准（2）
3.1.6 DDR/LPDDR内存标准（3）
3.1.7 DDR/LPDDR内存标准（4）
3.1.8 2023年Q3 DRAM环球市场竞争格局
3.1.9 2023年Q2 DRAM环球市场竞争格局
3.1.10 原片大厂DRAM产品和技能动向（1）
3.1.11 原片大厂DRAM产品和技能动向（2）
3.1.12 原片大厂DRAM产品和技能动向（3）
3.1.13 3D DRAM 领域技能竞争到来
3.1.14 DRAM汽车运用：需求量级和单车代价量
3.1.15 DRAM汽车运用：车载DRAM容量需求不断提升
3.1.16 DRAM汽车运用：车载DRAM市场竞争格局
3.1.17 车用DRAM技能演进趋势（1）
3.1.18 车用DRAM技能演进趋势（2）
3.1.19 DRAM汽车运用案例（1）
3.1.20 DRAM汽车运用案例（2）
3.1.21 DRAM汽车运用案例（3）
3.1.22 DRAM汽车运用案例（4）
3.1.23 DRAM汽车运用案例（5）
3.1.24 DRAM汽车运用案例（6）
3.1.25 DRAM汽车运用案例（7）
3.1.26 DRAM汽车运用案例（8）
3.1.27 海内厂商车规级DRAM产品（DDR）
3.1.28 外洋厂商车规级DRAM产品（LPDDR）
3.1.29 海内厂商车规级DRAM产品（LPDDR）
3.1.30 外洋厂商车规级DRAM产品（GDDR）
3.2 NAND Flash技能和汽车运用情形
3.2.1 NAND Flash 四种技能分类和技能特点
3.2.2 不同架构NAND Flash用场
3.2.3 NAND存储架构
3.2.4 NAND技能演进趋势（1）
3.2.5 NAND技能演进趋势（2）
3.2.6 NAND技能演进趋势（3）
3.2.7 NAND技能演进趋势（4）
3.2.8 NAND技能演进趋势（5）
3.2.9 NAND技能演进趋势（6）
3.2.10 NAND技能演进趋势（7）
3.2.11 2023年Q3 NAND Flash环球市场竞争格局
3.2.12 2023年Q2 NAND Flash环球市场竞争格局
3.2.13 存储大厂NAND产品和技能动向（1）
3.2.14 存储大厂NAND产品和技能动向（2）
3.2.15 存储大厂NAND产品和技能动向（3）
3.2.16 海内NAND Flash厂商产品和运用总结
3.2.17 NAND Flash产品分类
3.2.18 XXX已成为目前车载NAND Flash存储的主流标准
3.2.19 车规级SSD硬盘标准：JESD312标准（1）
3.2.20 车规级SSD硬盘标准：JESD312标准（2）
3.2.21 车规级SSD硬盘标准：JESD312标准（3）
3.2.22 车规级SSD硬盘标准：JESD312标准（4）
3.2.23 车规级SSD硬盘标准：JESD312标准（5）
3.2.24 NAND汽车运用趋势（1）
3.2.25 NAND汽车运用趋势（2）
3.2.26 NAND汽车运用趋势（3）
3.2.27 NAND汽车运用趋势（4）
3.2.28 NAND汽车运用：车载NAND环球市场竞争格局
3.2.29 国内外厂商车规级eMMC产品（1）
3.2.30 国内外厂商车规级eMMC产品（2）
3.2.31 国内外厂商车规级eMMC产品（3）
3.2.32 国内外厂商车规级UFS产品（1）
3.2.33 国内外厂商车规级UFS产品（2）
3.2.34 国内外厂商车规级HBM产品
3.2.35 国内外厂商车规级SSD产品
3.2.36 国内外厂商车规级NAND FLASH产品
3.3 SRAM技能和汽车运用情形
3.3.1 SRAM技能事理
3.3.2 SRAM技能特性、时钟频率和功耗
3.3.3 SRAM环球市场竞争格局
3.3.4 SRAM车内运用案例（1）
3.3.5 SRAM车内运用案例（2）
3.3.6 SRAM车内运用案例（3）
3.3.7 SRAM车内运用案例（4）
3.4 NOR Flash技能和汽车运用情形
3.4.1 NOR Flash技能事理
3.4.2 NOR Flash技能特色
3.4.3 环球车规NOR Flash市场竞争格局（1）
3.4.4 环球车规NOR Flash市场竞争格局（2）
3.4.5 NOR Flash在汽车ADAS中运用空间巨大
3.4.6 兆易创新办理方案
3.4.7 国内外厂商车规级NOR FLASH产品（1）
3.4.8 国内外厂商车规级NOR FLASH产品（2）
3.5 EEPROM技能和汽车运用情形
3.5.1 ROM技能事理和分类
3.5.2 EEPROM的技能上风
3.5.3 非易失落性存储芯片领域的三大成熟技能比拟
3.5.4 环球EEPROM市场规模
3.5.5 环球EEPROM市场竞争格局
3.5.6 EEPROM汽车运用前景广泛
3.5.7 EEPROM在汽车的运用处景
3.5.8 EEPROM 环球市场规模相对较小，国产厂商加快布局
3.5.9 环球车载 EEPROM 市场竞争格局（1）
3.5.10 环球车载 EEPROM 市场竞争格局（2）
3.5.11 海内厂商车规级EEPROM产品
3.5.12 EEPROM运用
3.6 FRAM技能和汽车运用情形
3.6.1 FRAM存储器技能上风总结
3.6.2 FRAM存储器车载运用处景（1）
3.6.3 FRAM存储器车载运用处景（2）
3.6.4 FRAM在整车掌握单元VCU中的运用
04
汽车存储芯片细分运用处景
4.1 中国乘用车销量及智驾/智舱渗透率预测
4.1.1 中国乘用车L1/L2/L2+/L2++/L2+++/L3-L4(Robotaxi) 自动驾驶系统装置率预测
4.1.2 中国乘用车销量及智驾渗透率预测，2024-2027
4.1.3 中国乘用车自动驾驶域掌握器出货量预测（万台），2024-2027
4.1.4 中国乘用车智能座舱域掌握器出货量预测（万台），2024-2027
4.2 存储芯片运用处景：自动驾驶
4.2.1 ADAS传感器天生的数据存储需求
4.2.2 L4级无人驾驶汽车数据存储需求
4.2.3 不同自动驾驶等级本地数据存储哀求（GB）
4.2.4 自动驾驶数据流程和类型
4.2.5 自动驾驶分级存储办理方案
4.2.6 不同等级自动驾驶存储容量需求
4.2.7 智能驾驶系统的存储器类型
4.2.8 智能驾驶系统的存储器
4.3 存储芯片运用处景：座舱
4.3.1 智能座舱存储需求：存储芯片必须要达到车规级哀求
4.3.2 智能座舱系统中的存储器类型
4.3.3 智能座舱存储需求：读取速率更快，智能座舱存储芯片接口逐渐升级为UFS接口（1）
4.3.4 智能座舱存储需求：读取速率更快，智能座舱存储芯片接口逐渐升级为UFS接口（2）
4.3.5 智能座舱存储需求：eMMC和UFS比拟（1）
4.3.6 智能座舱存储需求：eMMC和UFS比拟（2）
4.3.7 智能座舱存储需求：eMMC和UFS比拟（3）
4.3.8 智能座舱存储需求：eMMC和UFS比拟（4）
4.3.9 智能座舱存储需求：eMMC和UFS比拟（5）
4.3.10 智能座舱存储需求：（1）
4.3.11 智能座舱存储需求：（2）
4.3.12 智能座舱存储需求：（3）
4.3.13 智能座舱存储需求：（4）
4.3.14 智能座舱存储需求：（5）
4.3.15 智能座舱存储需求：（6）
4.3.16 智能座舱系统的存储器：（1）
4.3.17 智能座舱系统的存储器：（2）
4.3.18 智能座舱系统的存储器：（3）
4.4 存储芯片运用处景：中心打算单元+Zonal区域掌握器
4.4.1 中心打算机+区域办理方案
4.4.2 区域掌握器范例支配方案和功能分配
4.4.3 OEM区域掌握器数量和功能情形
4.4.4 中国乘用车区域掌握器渗透率
4.4.5 智能中心网关掌握器存储需求
4.4.6 Zonal掌握器存储需求
4.4.7 中心打算单元存储需求
4.4.8 Zonal掌握系统的存储器
4.4.9 中心打算平台系统的存储方案
4.5 存储芯片运用处景：驾驶数据记录
4.5.1 EDR环球标准制订动向
4.5.2 EDR逼迫国标履行路线图
4.5.3 EDR汽车存储需求
4.5.4 FRAM存储器运用于汽车数据记录仪（EDR）
4.5.5 F-RAM 与EEPROM 写数据的比拟
4.5.6 FRAM（Ferroelectric RAM）存储技能特点
4.5.7 英飞凌推出业界最高密度的F-RAM存储器
4.6 存储芯片运用处景：云打算和存储
4.6.1 汽车云存储助力自动驾驶研发数据处理
4.6.2 车辆数据上云存储可能面临“数据隐私和安全”法规问题
4.6.3 车载云存储的局限性：面临流量本钱和数据安全法规难题
4.6.4 自动驾驶 AI 学习场景事情流程
4.6.5 自动驾驶 AI 学习系统中数据存储面临的寻衅
4.6.6 XSKY 星辰天合数据存储方案和自动驾驶高效数据平台
4.6.7 焱融科技自动驾驶分布式存储产品YRCloudFile
4.6.8 西部数据车载云存储方案案例
4.6.9 中科曙光ParaStor“存储+打算”自动驾驶办理方案
05
外洋车载存储芯片厂商研究
5.1 三星
5.1.1 2023年三星电子经营情形
5.1.2 2023年三星电子存储业务经营情形
5.1.3 三星DRAM 和 NAND 的路线图
5.1.4 三星车载存储产品线
5.1.5 三星历代eUFS演进方案
5.1.6 三星历代eMMC/eUFS闪存参数比拟
5.1.7 三星量产车载UFS 3.1存储器办理方案
5.1.8 三星历代PCIe SSD固态硬盘演进方案
5.1.9 三星 PCIe 5.0 SSD固态硬盘产品组合
5.1.10 三星历代GDDR显存芯片演进方案
5.1.11 三星历代LPDDR内存芯片演进方案
5.1.12 三星最新16GB LPDDR5X+1TB UFS 3.1 多芯片封裝技能
5.1.13 三星历代DDR内存芯片演进方案
5.1.14 三星历代HBM内存芯片演进方案
5.1.15 三星内存打算芯片HBM-PIM架构
5.1.16 三星与芯驰科技达成计策互助
5.2 SK海力士
5.2.1 2023年海力士经营情形（1）
5.2.2 2023年海力士经营情形（2）
5.2.3 海力士车载存储产品线
5.2.4 海力士历代LPDDR内存芯片演进方案
5.2.5 海力士车载LPDDR5
5.2.6 海力士历代HBM内存芯片演进方案
5.2.7 海力士推出HBM3E
5.2.8 海力士eMMC产品：eMMC 5.1
5.2.9 海力士历代UFS内存芯片演进方案
5.2.10 海力士UFS3.1存储芯片
5.2.11 海力士历代GDDR显存芯片演进方案
5.3 美光
5.3.1 2023年美光经营情形
5.3.2 2023年美光经营情形：毛利率
5.3.3 2023年美光经营情形：分产品营收构造
5.3.4 2023年美光经营情形：分地区营收构造
5.3.5 2023年美光经营情形：库存
5.3.6 美光存储芯片研发技能路线图，2023-2027（1）
5.3.7 美光存储芯片研发技能路线图，2023-2027（2）
5.3.8 美光车载存储产品线
5.3.9 美光历代DDR内存芯片演进方案
5.3.10 美光推出ASIL D 车规级LPDDR5X办理方案
5.3.11 美光历代UFS内存芯片演进方案
5.3.12 美光车规级UFS 3.1广泛运用于ADAS和车载信息娱乐系统
5.3.13 美光历代LPDDR内存芯片演进方案
5.3.14 美光历代GDDR显存芯片演进方案
5.3.15 美光历代HBM内存芯片演进方案
5.3.16 美光历代PCIe SSD固态硬盘演进方案
5.3.17 美光车用存储器运用：飞凡R7
5.3.18 美光车用存储器运用：空想L7/L8
5.3.19 美光车用存储器运用：空想L9
5.3.20 美光车用存储器运用：蔚来ET7
5.4 凯侠（东芝）
5.4.1 铠侠经营情形
5.4.2 铠侠车载存储产品
5.4.3 铠侠历代UFS内存芯片演进方案
5.4.4 铠侠推出车载UFS 4.0产品（1）
5.4.5 铠侠推出车载UFS 4.0产品（2）
5.4.6 铠侠车规级UFS3.1利用BiCS Flash 3D技能
5.4.7 铠侠车载UFS3.1产品技能特性
5.4.8 铠侠车载UFS2.1产品技能特性
5.4.9 历代eMMC内存芯片演进方案
5.5 西部数据
5.5.1 2023年西部数据经营情形
5.5.2 2023年西部数据经营情形：利润
5.5.3 2023年西部数据经营情形：库存
5.5.4 西部数据车载存储产品线（1）
5.5.5 西部数据车载存储产品线（2）
5.5.6 西部数据车载存储产品线（3）
5.5.7 西部数据历代UFS内存芯片演进方案
5.5.8 西部数据iNAND AT EU552 UFS 3.1（运用于ADAS）
5.5.9 西部数据 iNAND AT EU312 UFS
5.5.10 西部数据历代eMMC内存芯片演进方案
5.5.11 西部数据 iNAND AT EM132 UFS
5.5.12 西部数据iNAND AT EN610
5.6 慧荣科技（Silicon Motion）
5.6.1 慧荣科技经营情形
5.6.2 慧荣科技汽车存储办理方案
5.6.3 慧荣科技车规存储产品线（1）
5.6.4 慧荣科技车规存储产品线（2）
5.6.5 慧荣科技历代UFS内存芯片演进方案
5.6.6 慧荣科技历代PCIe SSD固态硬盘演进方案
5.6.7 慧荣科技车用 PCIe NVMe SSD 掌握器
5.6.8 慧荣科技Ferri车规级单芯片存储办理方案
5.7 富士通
5.7.1 富士通打造FRAM、ReRAM、NRAM三线产品阵列
5.7.2 FRAM的技能上风总结
5.7.3 FRAM的运用领域非常广泛
5.7.4 富士通历代FRAM内存芯片演进方案
5.7.5 富士通车规级FRAM产品技能特性
5.7.6 富士通FRAM运用于电池管理系统BMS
5.7.7 富士通FRAM运用于整车掌握器VCU
5.7.8 富士通4Mbit FRAM 存储器，高容量FRAM赋能未来汽车
5.7.9 富士通推出新型纳米随机存储器NRAM
5.7.10 新型的非挥发ReRAM
5.7.11 EEPROM、NOR Flash、 FRAM、NRAM、ReRAM等几种不同存储技能的参数比拟
5.8 Neo Semiconductor
5.8.1 Neo Semiconductor的3D DRAM技能（1）
5.8.2 Neo Semiconductor的3D DRAM技能（2）
5.8.3 Neo Semiconductor的3D DRAM技能（3）
05
海内车载存储芯片厂商研究
6.1 长江存储
6.1.1 长江存储业务情形
6.1.2 长江存储环球市占率
6.1.3 长江存储历代UFS内存芯片演进方案
6.1.4 长江存储UFS 3.1
6.1.5 长江存储历代PCIe SSD固态硬盘演进方案
6.1.6 长江3D NAND技能
6.1.7 长江推出232层QLC 3D NAND
6.2 长鑫存储
6.2.1 长鑫存储业务情形
6.2.2 长鑫存储DRAM技能路线图
6.2.3 长鑫存储历代LPDDR内存芯片演进方案
6.2.4 长鑫存储历代DDR内存芯片演进方案
6.3 武汉新芯
6.3.1 武汉新芯业务情形
6.3.2 武汉新芯NOR Flash代工业务
6.3.3 武汉新芯NOR Flash产品
6.4 兆易创新
6.4.1 兆易创新业务情形
6.4.2 2023年兆易创新经营状况：业务收入
6.4.3 2023年兆易创新经营状况：营收构造
6.4.4 2023年兆易创新经营状况：毛利率
6.4.5 2023年兆易创新经营状况：库存情形
6.4.6 兆易创新NOR Flash产品系列
6.4.7 兆易创新存储历代NOR Flash演进方案
6.4.8 兆易创新车规级NOR Flash GD25
6.4.9 兆易创新存储历代DDR内存芯片演进方案
6.4.10 兆易创新DRAM DDR4 产品
6.4.11 兆易创新存储历代NAND Flash演进方案
6.5 北京君正
6.5.1 北京君正业务情形
6.5.2 2023年北京君正经营情形：业务收入
6.5.3 2023年北京君正经营情形：营收构造
6.5.4 北京君正细分业务概览
6.5.5 北京君正历代LPDDR内存芯片演进方案
6.5.6 北京君正历代DDR内存芯片演进方案
6.5.7 北京君正车规级SRAM产品
6.5.8 北京君正eMMC产品
6.6 聚辰股份
6.6.1 聚辰半导体业务情形
6.6.2 聚辰股份车规级EEPROM 产品系列
6.6.3 聚辰股份车规级EEPROM GT25A1024A
6.6.4 聚辰股份车规级 EEPROM运用
6.6.5 聚辰股份车规级SPI NOR Flash存储芯片
6.6.6 聚辰股份SPD 产品系列
6.7 普冉半导体
6.7.1 普冉半导体业务情形
6.7.2 2023年普冉半导体经营情形：业务收入
6.7.3 2023年普冉半导体经营情形：盈利能力
6.7.4 2023年普冉半导体经营情形：运营能力
6.7.5 普冉半导体车规级NOR Flash产品线
6.7.6 普冉半导体车规级NOR Flash：PY25Q32HB-SUH-AR
6.7.7 普冉半导体车规级EEPROM产品线
6.8 复旦微电子
6.8.1 复旦微电子业务情形
6.8.2 2023年复旦微电子经营情形：业务收入
6.8.3 2023年复旦微电子经营情形：研发投入
6.8.4 复旦微电子存储器产品线
6.8.5 复旦微电子车规FM EEPROM产品线路图
6.8.6 复旦微电子车用FM EEPROM产品方案
6.8.7 复旦微电子车用EEPROM 存储芯片FM24C512DA1通过车规认证
6.8.8 复旦微电子推出符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM
6.8.9 复旦微电子车规NOR Flash产品路线
6.8.10 复旦微电子汽车用NOR Flash产品方案
6.8.11 复旦微电子汽车用NAND Flash产品路线
6.8.12 复旦微电子汽车用NAND Flash产品方案
6.9 江波龙
6.9.1 江波龙公司简介
6.9.2 2023年江波龙经营状况：业务收入
6.9.3 2023年江波龙经营状况：毛利率
6.9.4 2023年江波龙经营状况：业务构造
6.9.5 江波龙经营状况：供应商占比
6.9.6 2023年江波龙经营状况：存货及周转率
6.9.7 江波龙产品线
6.9.8 江波龙汽车存储芯片产品线
6.9.9 江波龙历代NAND Flash演进方案
6.9.10 江波龙自研中小容量的存储芯片
6.9.11 江波龙历代UFS演进方案
6.9.12 江波龙FORESEE 车规级UFS（1）
6.9.13 江波龙FORESEE 车规级UFS（2）
6.9.14 江波龙历代eMMC演进方案
6.9.15 江波龙FORESEE 车规级eMMC产品通过AEC-Q100测试
6.9.16 江波龙历代DDR演进方案
6.9.17 江波龙完善存储家当链布局
6.9.18 江波龙自研存储主控芯片和SLC NAND Flash芯片
6.10 旺宏电子
6.10.1 旺宏电子业务情形
6.10.2 2023年旺宏电子经营情形：业务收入
6.10.3 旺宏电子车规级NOR Flash产品线
6.10.4 旺宏电子车规级NAND产品线
6.11 佰维
6.11.1 佰维存储业务情形
6.11.2 2023年佰维存储经营情形：业务收入
6.11.3 2023年佰维存储经营情形：净利润
6.11.4 佰维汽车存储办理方案（1）
6.11.5 佰维汽车存储办理方案（2）
6.11.6 佰维车载存储产品线
6.11.7 佰维历代LPDDR演进方案
6.11.8 佰维历代uMCP演进方案
6.11.9 佰维车用存储C1008系列（1）
6.11.10 佰维车用存储C1008系列（2）
6.11.11 佰维车用存储C1008系列（3）
6.11.12 佰维车用存储C1008系列（4）
6.12 钰创
6.12.1 钰创车用存储产品
6.12.2 钰创车用内存运用
6.13 得一微电子
6.13.1 得一微电子车规级eMMC存储芯片
6.13.2 得一微电子工业级和车规级eMMC
6.13.3 得一微电子车规级eMMC存储芯片特点
6.13.4 得一微电子车规级CXL SSD
6.14 东芯半导体
6.14.1 东芯半导体存储芯片产品先容
6.14.2 东芯半导体存储芯片产品：NAND
6.14.3 东芯半导体存储芯片产品：DRAM
6.14.4 东芯半导体存储芯片产品：NOR Flash
6.14.5 东芯半导体布局车规级存储
6.14.6 东芯半导体核心竞争力
6.15 合肥康芯威
6.15.1 合肥康芯威公司简介
6.15.2 合肥康芯威紧张客户
6.16 长江万润半导体
6.16.1 长江万润半导体公司简介
6.16.2 长江万润半导体eMMC产品
6.16.3 长江万润半导体自建封装厂
6.17 晶存科技
6.17.1 晶存科技公司简介
6.17.2 晶存科技车规级存储：LPDDR4/4X
6.17.3 晶存科技车规级存储：eMMC
6.18 西安紫光国芯
6.18.1 西安紫光国芯公司简介
6.18.2 西安紫光国芯CXL内存扩展主控技能方案
6.18.3 西安紫光国芯嵌入式DRAM技能（SeDRAM®）技能方案
6.18.4 西安紫光国芯DRAM KGD办理方案
6.18.5 西安紫光国芯车规级存储芯片办理方案
6.18.6 西安紫光国芯车规级超低功耗LPDDR4X内存
6.18.7 西安紫光国芯车规级DDR3
6.19 群联电子
6.19.1 2023年群联电子经营情形：业务收入
6.19.2 群联电子PCIe 4.0 SSD E22T 车用存储方案
6.20 上海贝岭
6.20.1 上海贝岭车规级 EEPROM 产品
