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专利择要显示,本发明涉及电机掌握器领域,详细涉及一种芯片稠浊并联封装的功率模块,通过将两组碳化硅MOSFET芯片分别置于芯片区两侧,使碳化硅MOSFET芯片享有较大的散热空间,降落热阻,以提高功率模块的电流输出能力;基板上的各芯片区分别设置三条驱动线路,能够独立驱动硅基IGBT芯片和碳化硅MOSFET芯片,使功率模块能够在小电流导通、分时序开通、续流分流平分歧事情模式下,具有较低损耗。将硅基IGBT/FRD芯片、纯碳化硅MOSFET芯片稠浊并联的功率模块,平衡功率模块的本钱及损耗,降落整车本钱。办理汽车电机掌握器功率模块,生产本钱高、功率损耗大的问题。
本文源自金融界

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