(一)：等效模型
MOS管等效电路及运用电路如下图所示：
把MOS管的微不雅观模型叠加起来，就如下图所示：
我们知道，MOS管的输入与输出是相位相反，恰好180度，也便是等效于一个反相器，也可以理解为一个反相事情的运放，如下图：
有了以上模型，就好办了，尤其从运放这张图中，可以一眼看出，这便是一个反相积分电路，当输入电阻较大时，开关速率比较缓慢，Cgd这颗积分电容影响不明显，但是当开关速率比较高，而且VDD供电电压较高，比如310V下，通过Cgd的电流比较大，强的积分很随意马虎引起振荡，这个振荡叫米勒振荡。以是Cgd也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或者关断的那段韶光，也便是积分那段韶光，叫米勒平台，如下图圆圈中的那部分为米勒平台，右边的是振荡严重的米勒振荡：
由于MOS管的反馈引入了电容，当这个电容足够大，并且前段旗子暗记变革快，后端供电电压高，三者结合起来，就会引起积分过充振荡，这个等价于温控的PID中的I模型，要想办理办理这个米勒振荡，在频率和电压不变的情形下，一样平常可以提高MOS管的驱动电阻，减缓开关的边沿速率，其次比较有效的办法是增加Cgs电容。在条件许可的情形下，可以在Cds之间并上低内阻抗冲击的小电容，或者用RC电路来做接管电路。
下图给出雨滴科技常用的三颗大功率MOS管的电容值：LCR电桥直接丈量，详细型号就不提了。
从图上可以看出，Inifineon6代MOS管和APT7代MOS管性能远远不如碳化硅性能，它的各个指标都很小，当米勒振荡通过其他手段无法降落时，可以考虑改换更小的米勒电容MOS管，尤其须要重视Cgd要尽可能的小于Cgs。
(二)：米勒振荡
可以这么讲，在电源设计中，米勒振荡是一个很核心的一环，尤其是超过100KHz以上的频率，而作者是做超高频感应加热电源的，事情频率在500K~1MHz范围，功率大于5KW，拓扑构造是LLC电路，H桥输出，此外为了实现功率线性可调节，采取40Hz PWM调制，可以理解为H桥以25mS为周期，一直的开始，关闭，而由于感应加热设备的负载是并联LC谐振环，这样每一次的开始等价于输出短路，以是开始的10来个周期的高频脉冲波形特殊丢脸，米勒振荡很严重，如下图（Infineon C6 MOS管波形）：
大家知道Si MOS的Vgs电压事情范围为正负20V，超过这个电压，栅极随意马虎被击穿，以是在米勒振荡严重的场合，须要加限压的稳压二极管，一样平常采取15V稳压二极管，有些采取15V的TVS管，相应速率快，但是TVS管比较稳压二极管来说，精度比较差，同等性不是很强，一样平常情形下还是推举用稳压二极管。
上图为MOS管GS之间并联了稳压二极管，实现15V驱动电压胁迫。稳压二极管一样平常用于米勒振荡严重的场合，尤其是频率特殊高的，对付波形良好的软开关，或者振荡不明显的硬开关，不须要稳压二极管胁迫。
米勒振荡若只是引起GS绝缘层击穿，那么加稳压二极管很随意马虎办理，问题的关键在于，米勒振荡每每引起二次开关，也便是说，导通了又关闭又导通，多次开关，多次开关带来的直接效应，便是开关损耗急剧提升。在高频开关中，MOS管的损耗分为导通损耗和开关损耗两种，导通损耗也便是常日所说的DS两极导通后的欧姆热损耗，然而在特殊高的高频下，导通损耗是次要的，开关损耗上升为紧张抵牾，所谓开关损耗便是从关闭到导通，或者从导通到关闭，由于这个0->1, 1->0的过程中，有高压，又有电流，以是这个损耗很大，最早开关电源都是采取硬开关的，而开关损耗在硬开关中表现突出，此外开关损耗由于有高的电压和强的电流，瞬间功率很高，比如电压310V，开关时中间电流假设为10A，则瞬间功率就有3100W，冲击性很强，随意马虎导致MOS管局部损伤，所以为理解决硬开关，引入了零电压(ZVS)、零电流(ZCS)的软开关技能，然而虽然软开关技能很好的办理了开关损耗问题，但是开关损耗还是存在，只是大大降落了，但是米勒振荡的多次开关，又提升了开关损耗。
米勒振荡若只因此上两点问题，那还不是问题的根本，最最让设计者头疼的是，在大功率拓扑构造中广泛利用的H桥，米勒振荡会存在一种可能，那便是高下管子恰好在某同一时候导通，若导通的韶光略长一些，则引起高下管子通过的瞬间电流巨大，由于MOS管的内阻都很小，只有百毫欧级别，当310V除以百毫欧姆电阻，产生的瞬间电流都在上百A，哪怕由于布线存在电感，实际这个电流小一些，但这个瞬间产生的功率还是巨大的，假设瞬间100A，则瞬间功率31000W，这么强的瞬间冲击，很随意马虎让功率管损伤乃至烧坏而炸机。很多时候，短韶光在公司测试OK，乃至十来天都OK，功率管温度也不高，但是一到客户哪儿就出问题，每每跟这个有关。
总结以上，米勒振荡引起三个问题：
1、击穿GS电压，引入稳压二极管胁迫。
2、二次开关，引入软开关。
3、高下管子导通，头大，斗争的重点，下一节讲。
下图为仿真的MOS管驱动波形，大家可以看到里面有一个米勒振荡，旗子暗记源为10V，100KHz
米勒振荡的实质是由于在高压和高速开关下，把稳是高压和高速开关下，MOS管在高压高速开关下，便是一个范例的高增益负反馈系统，负反馈特殊严重(上一节讲到MOS管便是反相器)，高增益负反馈很随意马虎引起振荡，尤其是反馈还是电容，又引入了相位移动，反馈相位靠近270度。负反馈180度是稳定点，360度是振荡点，270度处于稳定与振荡点之间，以是强的负反馈会表现为衰减式振荡。（普通的理解：输入由于有电感和电阻的限流，高压下反馈突变旗子暗记通过电容，由于不平衡引起振荡，这个类似热水器的温控PID。）
相同条件下，低压下由于负反馈没有这么剧烈，以是米勒振荡会很小，一样平常高频电源先用低压100V测试，波形很好，看不到米勒振荡，但是到了300V，波形就变差了。
(三)：米勒振荡的应对
米勒振荡是由于强的负反馈引起的开关振荡，导致二次导通，对付后级大功率半桥、全桥等H桥拓扑构造运用中，随意马虎导致高下管子瞬间导通从而炸毁管子，这个是开关电源设计中最核心的一环，以是如何避免米勒振荡可以认为是开关电源设计的核心关键。
A、减缓驱动强度
1、提高MOS管G极的输入串联电阻，一样平常该电阻阻值在1~100欧姆之间，详细值看MOS管的特性和事情频率，阻值越大，开关速率越缓。
2、在MOS管GS之间并联瓷片电容，一样平常容量在1nF~10nF附近。看实际需求。
调节电阻电容值，提高电阻和电容，降落充放电韶光，减缓开关的边沿速率，这个办法特殊适宜于硬开关电路，肃清硬开关引起的振荡。
B、加强关闭能力
1、差异化充放电速率，采取二极管加速放电速率
2、当第一种方案不敷时，关闭时直接把GS短路
3、当第二种方案不敷时，引入负压确保关断。
C、增加DS电容
在ZVS软开关电路中，比如UC3875移相电路中，MOS管DS之间，每每并联无感CBB小电容，一样平常容量在10nF以内，不能太大，有利于米勒振荡，把稳该电容的发热量，频率更高的时候，须要用云母电容
D、提高漏极电感办法
相对应方案C的提高DS电容办法，该方案则采取提高漏极的电感办法
1、在漏极串联镍锌磁珠，提高漏极电感，减缓漏极的电流变革，降落米勒振荡，这个方案也是改进EMC的方法之一，效果比较明显，但该方案不适宜高频率强电流的场合，否则该磁珠就发热太高而失落效。
2、PCB布线时，人为的引入布线电感，增长MOS管漏极、源极的PCB布线长度，比如方案C的图中，适当提高半桥高下MOS管之间的引线，对改进米勒振荡有很大的影响，但这个须要自身的技能水平较高，否则随意马虎失落败，此外布线长度提高，须要相应的考虑MOS管的耐压，严重的，须要加MOS管接管电路。
E、常用的MOS管接管电路，利于保护MOS管因关闭时产生过高的电压导致DS击穿，对米勒振荡也有帮助，电路形式多样，以下列举四种，运用处所不同，采取不同的办法。
(四)：基本参数
mos管的基本参数，大家熟习的一定是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速运用中，开关速率这个指标比较主要。
上图四项指标，第一项是导通延时时间，第二项是上升韶光，第三项是关闭延时时间，第四项是低落韶光。定义如下图：
在高速H桥运用中，MOS管内部的反向并联寄生二极管的相应速率指标Trr，也便是二极管的反向规复韶光这个指标很主要，否则随意马虎炸机，下图为高速二极管。
高速下，二极管也不是空想的，二极管导通后，PN节中充满了电子和空穴，当瞬间反向加电的时候，须要韶光规复截止，这个类似一扇门打开了，须要韶光关上，但在高速下，这个关上的韶光太长，就会导致H桥高下管子导通而烧坏。以是在高速运用中，直接由于MOS监工艺寄生的二极管的反向规复韶光太长，以是须要用分外的工艺制作实现高速的内置二极管，但哪怕分外工艺制作的，其性能也达不到独立的高速二极管性能，只是比原MOS管寄生的指标强一些而已，但已经知足大部分软开关的需求了，500KHz下没问题。比如Infineon的C6系列，后缀带CFD的管子，内部的二极管便是高速的。
若有些场合须要更高速的二极管，而内置的二极管性能达不到，则须要分外的处理办法，MOS管先串联二极管，再外部并二极管，这样子实现，可以运用于频率超过500KHz的场合。
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