中科蓝讯申请一种片上电感结构和集成电路专利有效提升芯片机能_衬底_电感

专利择要显示，本发明履行办法公开了一种片上电感构造和集成电路。
该片上电感构造，所述片上电感构造形成于集成电路之中，集成电路至少包括：衬底以及位于衬底上的多个依次层叠的金属层，其特色在于，片上电感构造包括：由阔别衬底的，两个或者多个金属层的金属互连线构成的主体线圈；由位于靠近衬底的金属层形成的屏蔽层；位于屏蔽层和衬底之间的反偏层，用于形成反偏PN结；隔离环；主体线圈、屏蔽层以及反偏层被环抱在隔离环内。
通过上述办法，本发明履行办法利用顶层金属增大金属和衬底之间的间隔，降落了电感和衬底之间的电容耦合，并设置了阱于衬底上以形成反偏pn结，防止了磁场耦合在衬底引入涡流，有效提高了片上电感的品质因数，进而提升芯片性能。

本文源自金融界